兩探針電阻率測試儀 型號:CN60M-FT-300TZ庫號：M291339   查看hh參照標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法-方法2直流兩探針法；SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測定兩探針法>>參數(shù) 資料1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm 2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω3.電導(dǎo)率：5×10^-7～10^7s/cm 4.分辨率： 0.1μΩ 測量±（0.05%讀數(shù)±5字）5.測量電壓量程： 2mV  20mV  200mV 2V 測量精度±（0.1%讀數(shù)）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV 7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)， 量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%讀數(shù)±2字8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、單位自動換算、橫截面、高度、電流、電壓等.9.溫度要求：23℃±1℃ 10.電源：220±10% 50HZ/60HZ 11. 測量平臺參數(shù)如下：1）.可測硅芯、檢驗棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規(guī)格可定制）2）.探針頭探針與試樣接觸位置重復(fù)，無橫向移動。3）.兩探針測試探針。探頭間距1.59mm（其他規(guī)格可定制）；探針機械游率：±0.3%。4）.探針直徑0.8㎜；探針壓力總6-12N，探針材料：鎢針，5）.探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐12.標(biāo)配外選購項：a.pc軟件1套；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1件；c.電腦和打印機