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在半導體刻蝕工藝中,閥門雖小,卻直接關系晶圓良率。一顆閥門的泄漏或顆粒析出,都可能導致產(chǎn)品報廢。
刻蝕介質(zhì)會有腐蝕性。干法刻蝕使用硅烷、氯氣等特種氣體;濕法刻蝕涉及王水等化學品。JPE沅亨鑄造球閥提供SS304、SS316L等材質(zhì),其中SS316L因低碳含量和優(yōu)異的耐晶間腐蝕性能,廣泛應用于半導體行業(yè)。
提供一片式、二片式、三片式三種結構,壓力覆蓋1000psig和2000psig,接口尺寸1/4至1-1/4英寸,支持卡套、NPT、BSPT、套焊等連接方式。

流道死角易造成雜質(zhì)沉積。JPE沅亨配備無塵室進行潔凈裝配,從原材料到包裝全流程貫徹潔凈度控制。
半導體級閥門的內(nèi)泄漏率要求低于1×10?? atm·cc/sec He。JPE沅亨配備氦質(zhì)譜檢測設備,部分產(chǎn)品通過ISO 15848認證。

已獲得ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001、ASTM F1387、ISO 15848、EC-79等多項國際認證。
堅持100%工廠精確測試,配備數(shù)控車床、加工中心、關節(jié)式機器人等先進設備
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