宸遠(yuǎn)科電子有限公司
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閱讀：21發(fā)布時(shí)間：2026-5-17
TDK電容Ceralink的多層結(jié)構(gòu)采用全新的陶瓷材料與銅內(nèi)電極組合設(shè)計(jì)，具有經(jīng)濟(jì)和性能優(yōu)勢(shì)。優(yōu)勢(shì)ESR隨溫度降低而大幅下降，超低ESL，銅內(nèi)電極材料特性有利于實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率和低損耗，并允許快速轉(zhuǎn)換速率和高Imax適合高達(dá)1 MHz及以上的開關(guān)頻率!高達(dá)150°C的寬工作溫度范圍（也適用于SiC/GaN！）
高頻率下低損耗支持快速開關(guān)半導(dǎo)體
支持系統(tǒng)級(jí)電力電子的進(jìn)一步小型化
所選材料可實(shí)現(xiàn)超低漏電流
隨著頻率增加，介電損耗不斷降低
焊接端子和現(xiàn)代快速壓合端子技術(shù)
無負(fù)直流偏壓減少電容（高達(dá)VOP）
TDK電容緊湊型外殼，提供典型電源模塊選項(xiàng)，適合工業(yè)和汽車應(yīng)用，即概念
集成到電源模塊的特殊類型(IGBT/MOSFET/SiC)
可通過QR碼實(shí)現(xiàn)可追蹤性（取決于設(shè)計(jì)）
TDK電容特性高電容密度
TDK電容超低ESR和低ESL
TDK電容高電流密度，能夠有效減少紋波電壓
TDK電容隨電壓升高而增大有效電容
TDK電容能夠高溫漂移
TDK電容高頻率下低損耗
支持快速開關(guān)半導(dǎo)體
支持系統(tǒng)級(jí)電力電子的進(jìn)一步小型化
規(guī)范絕緣電阻：1GΩ至10GΩ，，因此導(dǎo)致漏電流極低，特別是在高溫環(huán)境下
ESL：<4nH，因此超低
ESR：<4mΩ，即使在低電容下也超低，因此損耗低（典型值）
TDK電容工作溫度：-40°C至+125°C（短時(shí)間內(nèi)高達(dá)+150°C），因此也適合SiC
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