宸遠科電子有限公司
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高Q高頻電容器適用于微波相控陣雷達T/R組件、射頻功率放大器、濾波器、振蕩器、計時電路、天線調諧、磁共振成像系統(tǒng)等設備中起耦合、調諧、旁路、隔直作用；
高Q高頻電容器|射頻微波電容|高Q值射頻電容適用于微波相控陣雷達T/R組件、射頻功率放大器、濾波器、振蕩器、計時電路、天線調諧、磁共振成像系統(tǒng)等設備中起耦合、調諧、旁路、隔直作用；
1.特點
尺寸規(guī)格系列化，適用于混合集成電路或印刷電路的表面貼裝元件；
具有高Q值、低ESR、可靠性高的特點；
損耗低、電容量穩(wěn)定性高、工作頻率可達3GHz；
標生產線生產；
通訊、雷達、引信、艦船及航空、航天的地面電子設備及民用設備；
使用于各類設備中的高頻電路、VHF-微波段、射頻及放大電路中。
2.主要性能指標
溫度系數：C0G：0±30ppm/℃；
電容量漂移：不超過±0.2%或±0.05pF，取較大者；
品質因數（Q值）：頻率為1MHz/1KHz時大于2000
老化特性：無；
絕緣電阻；在20℃下：≥100000MΩ
工作溫度：-55~125℃
高Q高頻電容器|射頻微波電容|高Q值射頻電容更多產品信息與樣品服務請聯系客服
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