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更新時間:2026-05-13 08:42:08瀏覽次數(shù):47次
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村田的高密度硅電容器,通過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝實現(xiàn)三維化,大幅增加電容器表面積,從而提高了基板單位面積的靜電容量。
適合的市場細分

網(wǎng)絡(luò)相關(guān)(RF功率放大器、寬帶通信)、高可靠性用途、醫(yī)療、汽車、通信。
村田村田硅電容|MURATA的MGSC系列,以所有的重要插件和生命支持解決方案為目標。這種深槽MOS電容器,利用通過ISO-13485認證的村田設(shè)備制造,采用特別的Mosaic設(shè)計,與分散的溝槽電容器組合,電氣特性達到了超高的水平。村田提供的各種電容器,均在制造過程中采用經(jīng)過900℃退火處理的高純度氧化膜,符合AEC-Q100標準。
并且,對根據(jù)用途的關(guān)鍵性而生產(chǎn)的電容器進行99%屏蔽,排除“初始"缺陷。漏電流極低,在使用電池的用途上,可以改善性能,延長使用壽命。硅電容器技術(shù)與替代的陶瓷電容器技術(shù)相比,不僅可靠性高,而且兼具穩(wěn)定性和輕薄性。MGSC電容器與標準的外置SMD解決方案相比,去藕性能得到加強,可在插件上直接集成。
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