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行業(yè)產(chǎn)品

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東莞鵬慶電子科技有限公司


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半導(dǎo)體測(cè)試分析儀

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產(chǎn)品型號(hào)4155C

品       牌Agilent/安捷倫

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地東莞市

聯(lián)系方式:鵬慶查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2026-10-10 15:46:19瀏覽次數(shù):3次

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經(jīng)營(yíng)模式:經(jīng)銷商

商鋪產(chǎn)品:53條

所在地區(qū):廣東東莞市

聯(lián)系人:鵬慶 (銷售)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

安捷倫 4155C 半導(dǎo)體測(cè)試分析儀,是行業(yè)經(jīng)典臺(tái)式器件表征測(cè)試設(shè)備,廣泛用于實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體器件 I-V、準(zhǔn)靜態(tài) C-V 與可靠性應(yīng)力測(cè)試。儀器搭載 4 組源測(cè)量單元 SMU、2 組電壓源 VSU、2 組電壓測(cè)量單元 VMU,具備 10fA 電流、0.2mV 電壓的高分辨測(cè)量能力,支持掃描、采樣、旋鈕掃描等多種測(cè)試模式。

詳細(xì)介紹

一、產(chǎn)品概述

    安捷倫 4155C 半導(dǎo)體測(cè)試分析儀,是半導(dǎo)體器件表征領(lǐng)域久經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的臺(tái)式精密測(cè)試儀器,前身由惠普研發(fā),安捷倫時(shí)代持續(xù)迭代至 C 版本,至今仍是高校、科研院所與中小半導(dǎo)體企業(yè)器件研發(fā)、晶圓工藝評(píng)估、器件失效分析的主流設(shè)備。該儀器集成激勵(lì)源與測(cè)量采集一體化設(shè)計(jì),可對(duì)分立半導(dǎo)體器件、MOSFET、二極管、電容介質(zhì)、薄膜材料等開(kāi)展直流 I-V 特性、準(zhǔn)靜態(tài) C-V(QSCV)、器件應(yīng)力可靠性測(cè)試,把電壓 / 電流施加與信號(hào)采集同步完成,無(wú)需多臺(tái)儀器組合搭建測(cè)試平臺(tái),大幅簡(jiǎn)化半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)搭建成本。4155C 定位通用型器件表征,區(qū)別于更高精度的 4156C,在滿足絕大多數(shù)器件測(cè)試需求前提下,兼顧設(shè)備采購(gòu)與使用成本,適合實(shí)驗(yàn)室研發(fā)小批量樣品測(cè)試。儀器支持面板手動(dòng)操作、IBASIC 內(nèi)置編程、GPIB 遠(yuǎn)程程控三種控制方式,可搭配探針臺(tái)完成晶圓級(jí)在片測(cè)試,也可通過(guò)夾具封裝器件做成品測(cè)試。選配 41501B 擴(kuò)展單元后,可升級(jí)大功率 SMU、雙脈沖發(fā)生器與低噪聲接地模塊,拓展大功率器件、脈沖應(yīng)力老化等測(cè)試場(chǎng)景,適配更多器件可靠性評(píng)估需求。

二、硬件架構(gòu)與核心技術(shù)指標(biāo)

    4155C 主機(jī)內(nèi)部模塊化配置,包含 4 通道源測(cè)量單元(SMU)、2 通道電壓源單元(VSU)、2 通道電壓測(cè)量單元(VMU),多通道獨(dú)立可控,能夠同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體器件不同引腳施加偏置電壓并采集反饋信號(hào),滿足三端、四端器件的同步測(cè)量。儀器基礎(chǔ)測(cè)量分辨率可達(dá)10fA 電流、0.2mV 電壓,微弱電流測(cè)量能力適配 MOS 器件亞閾值漏電流、介質(zhì)薄膜漏電、低泄漏二極管等微小信號(hào)檢測(cè)。支持三類基礎(chǔ)測(cè)量模式:掃描測(cè)量、采樣測(cè)量、準(zhǔn)靜態(tài) C-V 測(cè)量。面板旋鈕掃描功能可以直接旋轉(zhuǎn)旋鈕實(shí)時(shí)改變輸出偏壓,動(dòng)態(tài)觀測(cè)器件曲線,方便調(diào)試階段快速定性觀察器件特性,無(wú)需編寫掃描程序。主機(jī)內(nèi)置應(yīng)力測(cè)試模式,可長(zhǎng)時(shí)間施加恒定直流電壓或電流,完成器件偏置應(yīng)力老化,評(píng)估柵氧、介質(zhì)層隨偏置產(chǎn)生的性能退化,屬于晶圓級(jí)可靠性 WLR 測(cè)試常用手段。搭配 41501B 擴(kuò)展模塊,輸出能力拓展至 ±200V、±1A 大功率,增加雙脈沖發(fā)生器,實(shí)現(xiàn)脈沖激勵(lì)應(yīng)力測(cè)試,用于評(píng)估器件瞬態(tài)特性與脈沖老化失效。儀器采用三軸低噪聲接線方案,降低線纜漏電與噪聲干擾,保障 fA 級(jí)小電流測(cè)量穩(wěn)定。電壓測(cè)量單元支持差分測(cè)量,抑制共模噪聲,提升低電壓信號(hào)采集準(zhǔn)確度。整機(jī)硬件設(shè)計(jì)穩(wěn)定,抗環(huán)境電磁干擾能力強(qiáng),適合普通實(shí)驗(yàn)室環(huán)境長(zhǎng)期連續(xù)測(cè)試。

三、測(cè)試軟件與操作體系

    4155C 配套 Desktop EasyEXPERT 軟件,提供圖形化 PC 控制界面,操作邏輯和 B1500A 器件分析儀保持一致,降低使用者學(xué)習(xí)門檻。軟件內(nèi)置超過(guò) 80 套預(yù)定義應(yīng)用測(cè)試模板,覆蓋二極管 I-V、MOS 轉(zhuǎn)移 / 輸出曲線、電容 C-V、擊穿電壓、漏電測(cè)試、V-Ramp 柵氧可靠性測(cè)試等常規(guī)項(xiàng)目,所有模板參數(shù)均可自定義修改,用戶可根據(jù)樣品規(guī)格調(diào)整掃描范圍、步進(jìn)、保持時(shí)間、采集平均次數(shù)。軟件支持測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)保存至本地或網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ),測(cè)試完成后可直接生成 I-V、C-V 曲線,自動(dòng)提取閾值電壓、亞閾值擺幅、擊穿電壓、串聯(lián)電阻、電容平帶電壓等關(guān)鍵器件參數(shù),無(wú)需人工手動(dòng)計(jì)算。同時(shí)具備離線數(shù)據(jù)分析功能,在不連接儀器的電腦上,調(diào)取歷史測(cè)試文件,重繪曲線、修改算法、導(dǎo)出報(bào)表,方便科研論文撰寫與工藝數(shù)據(jù)歸檔。儀器自帶 IBASIC 編程語(yǔ)言,可在儀器本地編寫自動(dòng)測(cè)試序列,實(shí)現(xiàn)多器件連續(xù)循環(huán)測(cè)試;GPIB 接口支持外部程控,可接入自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng),與探針臺(tái)聯(lián)動(dòng),實(shí)現(xiàn)晶圓多點(diǎn)自動(dòng)掃描測(cè)試。軟件同時(shí)兼容經(jīng)典測(cè)試界面模式,沿用老版本 4155 系列操作邏輯,老用戶可以無(wú)縫上手,降低設(shè)備遷移成本。

四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

  1. MOSFET 器件研發(fā)測(cè)試:測(cè)試轉(zhuǎn)移特性、輸出特性、亞閾值漏電、柵極漏電、閾值電壓,評(píng)估器件工藝波動(dòng),判斷光刻、注入、柵氧制備工藝優(yōu)劣。

  2. 無(wú)源介質(zhì)與電容測(cè)試:準(zhǔn)靜態(tài) QSCV 測(cè)試,獲取半導(dǎo)體電容 C-V 曲線,計(jì)算平帶電壓、氧化層厚度、界面態(tài)密度,評(píng)估柵介質(zhì)薄膜質(zhì)量。

  3. 分立器件測(cè)試:二極管正向反向 I-V、反向擊穿電壓、漏電流,BJT 晶體管輸出與輸入特性。

  4. 器件可靠性與失效分析:直流應(yīng)力、V-Ramp 斜坡電壓測(cè)試,評(píng)估柵氧擊穿特性、介質(zhì)經(jīng)時(shí)退化,開(kāi)展晶圓級(jí)可靠性篩選,分析器件失效機(jī)理。

  5. 新材料器件表征:有機(jī)半導(dǎo)體、薄膜晶體管、光電探測(cè)器等新型器件的直流電學(xué)特性表征,是高校材料、微電子實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備。

五、設(shè)備優(yōu)勢(shì)與使用說(shuō)明

    4155C 半導(dǎo)體測(cè)試分析儀在于通用性強(qiáng),一套設(shè)備覆蓋 I-V、C-V、應(yīng)力可靠性三類核心半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試,減少多臺(tái)儀器采購(gòu)?fù)度?。操作門檻友好,既支持工程師編寫自動(dòng)化測(cè)試程序,也支持實(shí)驗(yàn)人員直接在儀器面板快速手動(dòng)測(cè)試,兼顧批量自動(dòng)化與快速定性測(cè)試需求。作為行業(yè)經(jīng)典機(jī)型,配套的測(cè)試案例、程序代碼、技術(shù)資料豐富,維修配件資源充足,在二手實(shí)驗(yàn)室設(shè)備市場(chǎng)保有量大,性價(jià)比突出。需要注意,該儀器屬于已停產(chǎn)經(jīng)典機(jī)型,適合基礎(chǔ)直流器件表征,高頻動(dòng)態(tài)、超快脈沖等前沿測(cè)試需求需搭配其他儀器。進(jìn)行 fA 級(jí)微弱電流測(cè)試時(shí),需要三軸電纜、屏蔽探針臺(tái),控制環(huán)境濕度與電磁干擾,減少外部漏電對(duì)測(cè)量結(jié)果帶來(lái)的偏差。整體來(lái)看,安捷倫 4155C 是微電子實(shí)驗(yàn)室性價(jià)比很高的半導(dǎo)體參數(shù)表征平臺(tái),廣泛用于半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)、器件基礎(chǔ)研究、教學(xué)實(shí)驗(yàn)、樣品失效分析,時(shí)至今日,依舊在眾多科研與產(chǎn)線實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)器件電學(xué)特性測(cè)試工作。



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