| 據(jù)iSuppli市調公司發(fā)布的調查報告顯示，內存業(yè)界生產DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元/GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 據(jù)分析，造成內存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復雜度和技術要求越來越高，廠商從傳統(tǒng)的干式光刻轉換到相對較為*的沉浸式光刻還需要一段適應時間。更具體地說，iSuppli的分析師MikeHoward則認為，造成本季度內存芯片制造成本上升的主要是兩家大廠：日本的爾必達（成本上升4%）以及中國臺灣的南亞公司（成本上升11%）。其中南亞公司成本上升的主要原因是正在從繼承自奇夢達公司的深溝電容工藝轉換為堆疊電容工藝，因此在良率和成本方面會受到比較大的影響，而未來幾個季度內隨著制程良率的進一步提升，其成本水平會逐漸恢復正常水準。 而爾必達的成本提升則主要是由于公司正在進行成本結構的轉換，為了提高自己有限的產能，他們zui近剛剛開始將一部分產品外包給其它的廠商制作，因此造成采購成本的提升。而公司成本結構的轉換穩(wěn)定之后，成本水平亦會恢復正常水平。 | |
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