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半導體pct老化試驗箱性能：

1、測試環(huán)境條件4、2、 測試方法 環(huán)境溫度為+25℃、相對濕度≤85%、

2、溫度范圍 105℃ → +132℃、 (控制點)

3、溫度波動度 ±0、5℃、

4、溫度偏差 ±2、0℃、

5、濕度范圍 75% ～ 100 %R、H 、 (控制點)

6、濕度波動度 ±2、5 %R、H、

7、濕度均勻度 ±5、0%、

8、壓力范圍 0、5～2㎏/㎝2 (0、05～0、196 MPa) (控制點)

9、升溫時間 常溫 → + 132℃ 35 min 、

10、升壓時間 常壓 → + 2㎏/㎝2 40 min

pct老化試驗箱的特點：  

1、技術精密，具有自動加水功能并且在試驗過程中水位過低時自動加水200h。  

2、試驗過程中圓幅內(nèi)襯設計，可避免蒸汽過熱沖擊損失測品。  

3、圓型門設計，能夠密封溫度與壓力安全鎖定控制，鎖牢固才能啟動試驗機，箱內(nèi)壓力超壓時具有自動泄壓或手動泄壓。  

4、計時安裝，LED數(shù)字型計時器，當鍋內(nèi)溫度達到后計時器確保試驗*，計時從表格1驅(qū)動。

5、精準的壓力，溫度表隨時顯示鍋內(nèi)壓力與溫度，精準壓力+0、2~2、0kg/cm2、  

6、試驗開始前使用真空泵抽真空，將機器原來的空氣抽出并過濾與至新鮮空氣一切完整開始試機。  

7、箱內(nèi)經(jīng)過拋光處理經(jīng)久耐用、美觀、不沾污。  

8、運轉時流水自動排出未飽和蒸汽已達到飽和。  

9、異常原因及故障指示燈顯示，設置自動保護LIMIT安全。

pct老化試驗箱試樣限制本試驗設備禁止：

易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗或儲存。腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗或儲存。強電磁發(fā)射源試樣的試驗或儲存。

半導體pct老化試驗箱用途：

測試其制品的耐厭性，氣密性。測試半導體封裝之濕氣能力，待測產(chǎn)品被置于嚴苛之溫度、濕度及壓力下測試，濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之接口滲入封裝體，常見之故障方式為主動金屬化區(qū)域腐蝕造成之斷路，或封裝體引腳間因污染造成短路等。