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　?。豏AY：微焦點X射線可以穿過塑封料并對包封內(nèi)部的金屬部件成像，因此，它特別適用于評價由流動誘導應力引起的引線變形　在電路測試中，引線斷裂的結(jié)果是開路，而引線交叉或引線壓在芯片焊盤的邊緣上或芯片的金屬布線上，則表現(xiàn)為短路。X射線分析也評估氣泡的產(chǎn)生和位置，塑封料中那些直徑大于1毫米的大空洞，很容易探測到. ）， 德國Feinfocus 

3   SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸）, 日本電子 
4   EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發(fā)熱點，LC要借助探針臺，示波器）， 
5   FIB做一些電路修改； 
6   Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試，ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程，取die,decap（開封，開帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等，有些也需要相應的儀器機臺，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。 

歡迎索取資料哦。四海內(nèi)皆朋友 clack     @  除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ,二次離子質(zhì)譜 SIMS,飛行時間質(zhì)譜TOF － SIMS ,透射電鏡TEM , 場發(fā)射電鏡,場發(fā)射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過這些項目不是很常用。 

FA步驟: 
     1   一般先做外觀檢查，看看有沒有crack，burnt mark 什么的，拍照； 
      2   非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，等等； 
      3   電測：主要工具，萬用表，示波器，sony tek370a，現(xiàn)在好象是370b了； 
      4   破壞性分析：機械decap，化學 decap 芯片開封機 

微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷.   參數(shù)：標準檢測分辨率＜500納米 ； 幾何放大倍數(shù): 2000 倍 較大放大倍數(shù): 10000倍 ；  輻射小: 每小時低于1 μSv ； 電壓: 160 KV, 開放式射線管設計防碰撞設計；BGA和SMT（QFP）自動分析軟件，空隙計算軟件，通用缺陷自動識別軟件和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應用。 

芯片開封機DECAP 主要用于芯片開封驗證SAM，XRAY的結(jié)果。 DECAP有化學開封和激光開封，兩者區(qū)別在于激光開封可以開封銅線，但后者價格貴些