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詳細(xì)摘要：壓力傳感器采用自主研發(fā)的技術(shù)，使用*的加工技術(shù)在SOI晶圓表面的250nm厚可加工材料層上制作出孤立的“島"狀硅敏感電阻陣列，用絕緣膜電隔離技術(shù)替代了傳統(tǒng)的PN結(jié)電隔離技術(shù)，由于SOI芯片避免了PN隔離問題，相比于常規(guī)的擴(kuò)散硅，具有更好的穩(wěn)定性，可以實(shí)現(xiàn)更高溫度下的壓力測量。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地： 參考價(jià)：面議
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