BD916介質損耗測試裝置技術特性 

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測微桿分辨率：0.001mm
 
電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH 

滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數(shù)的*方法

一、介電常數(shù)介質損耗試驗儀概述
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
 
  主要技術特性  
Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
電感測量范圍  4.5nH ～ 140mH  
電容直接測量范圍  1 ～ 200pF  
主電容調節(jié)范圍  18 ～ 220pF  
主電容調節(jié)準確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  

介電常數(shù)介質損耗測試儀的操作步驟

介電常數(shù)Σ的測試
a. 再松開二極片，把被測樣品插入二極片之間，調節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調節(jié)時要用測微桿，以免夾得過緊或過松），這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表處于諧振點上。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，此時調節(jié)平板電容器，使Q 表再回到諧振點上，讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計算被測樣品的介電常數(shù)：
Σ＝D2 / D4
5．介質損耗系數(shù)的測試
a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上。把被測樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表處于諧振點上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表重新處于諧振點上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測試裝置，再改變Q 表上的主調電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記為C3，此時可計算得到測試裝置的電容為CZ = C3 －C1
d. 計算被測樣品的介質損耗系數(shù)

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式中：CZ 為測試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
C0 為測試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）