北京華測(cè)介質(zhì)材料高溫電阻率測(cè)試儀

一、北京華測(cè)介質(zhì)材料高溫電阻率測(cè)試儀產(chǎn)品概述：
●采用由固體三電極測(cè)量方法，測(cè)試電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱為一體的高溫測(cè)試系統(tǒng)，滿(mǎn)足固體絕緣材料因溫度變化對(duì)電阻值變  化的測(cè)量要求，可以在高溫 、真空、氣氛的條件下測(cè)量導(dǎo)電材料電阻和電阻率，可以分析被測(cè)樣的電阻和電阻率隨溫度、  時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等樣品進(jìn)行測(cè)試，可以廣泛用于其它結(jié)構(gòu)型高分子絕緣材料、復(fù)合絕緣材料等材料的電阻率 測(cè)量。

二、北京華測(cè)介質(zhì)材料高溫電阻率測(cè)試儀范圍及功能：
1、可以測(cè)量高溫、真空、氣氛下絕材料的電阻及表面、體積電阻率；
2、軟件、觸摸屏、高溫爐等集成于一體，可以進(jìn)行可視化操作；
3、可實(shí)現(xiàn)純凈氣氛條件下的測(cè)量；同時(shí)保證測(cè)試電極在高溫下不氧化；
4、采用labview軟件開(kāi)發(fā)，操控性、兼容性好、方便升級(jí)；
5、采用TVS防護(hù)系統(tǒng)保定系統(tǒng)的an全與防護(hù)；
6、控溫和測(cè)溫采用同一個(gè)傳感器，保證樣品每次采集的溫度都是樣品實(shí)際溫度；
7、可配套使用Keithley6485或6487皮安電流表；

三、北京華測(cè)介質(zhì)材料高溫電阻率測(cè)試儀技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：
● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)： 光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對(duì)于閃絡(luò)放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到作用。華測(cè)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)。
● 多級(jí)循環(huán)溫度采集技術(shù)： 設(shè)備采用PID算法，以及多級(jí)循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值。控溫和測(cè)溫采用同一個(gè)傳感器，保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實(shí)際溫度.
● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)： 本設(shè)備不僅具備過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)系統(tǒng)，它的雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制，當(dāng)元器件出現(xiàn)問(wèn)題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測(cè)技術(shù)以保證采集電流的有效值 ，以及電流抗干擾的屏蔽。
● SPWM電子升壓技術(shù) 這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn)，精度高。便于維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)是調(diào)壓器的。
● 測(cè)試電壓大可達(dá)到2000V 目前測(cè)試電阻率儀器大測(cè)試電壓為1000V。本設(shè)備高測(cè)試電壓可達(dá)2000V。大量程可測(cè)到17次。

四、北京華測(cè)介質(zhì)材料高溫電阻率測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：
●HRMS-900高溫絕緣電阻測(cè)量系統(tǒng)
●溫度范圍：室溫-1000℃；
●顯示精度：±0.1℃；
●控溫精度：±1℃；
●升溫斜率：3℃/min(典型值)；
●電阻：50-1015Ω；
●電阻率：103-1017Ω·cm；
●樣品尺寸：直徑小于30mm，厚度小于4mm；
●測(cè)試電壓：2000V
●電極結(jié)構(gòu)：三電極法；
●電極材料：鉑金電極
●絕緣材料：99氧化鋁陶瓷；
●夾具輔助材料：316L不銹鋼。
●設(shè)備尺寸：680mmX450mmX400mm