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福州精科儀器儀表有限公司

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高性能FIB-SEM系統(tǒng) Ethos NX5000

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更新時間：2022-04-30 19:52:39瀏覽次數(shù)：230次

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福州精科儀器儀表有限公司

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產(chǎn)品簡介

高性能與高靈活性兼?zhèn)洹癊thos"采用日立高新的核心技術(shù)--的高亮度冷場發(fā)射電子槍及新研發(fā)的電磁復(fù)合透鏡，不但可以在低加速電壓下實(shí)現(xiàn)高分辨觀察，還可以在FIB加工時實(shí)現(xiàn)實(shí)時觀察

詳細(xì)介紹

高性能與高靈活性兼?zhèn)?/strong>

“Ethos"采用日立高新的核心技術(shù)--的高亮度冷場發(fā)射電子槍及新研發(fā)的電磁復(fù)合透鏡，不但可以在低加速電壓下實(shí)現(xiàn)高分辨觀察，還可以在FIB加工時實(shí)現(xiàn)實(shí)時觀察。

SEM鏡筒內(nèi)標(biāo)配3個探測器，可同時觀察到二次電子信號的形貌像以及背散射電子信號的成分襯度像;可非常方便的幫助FIB找尋到納米尺度的目標(biāo)物，對其觀察以及加工分析。

另外，全新設(shè)計的超大樣品倉設(shè)置了多個附件接口，可安裝EDS*1和EBSD*2等各種分析儀器。而且NX5000標(biāo)配超大防振樣品臺，可全面加工并觀察直徑為150mm的樣品。

因此，它不僅可以用于半導(dǎo)體器件的檢測，而且還可以用于從生物到鋼鐵磁性材料等各種樣品的綜合分析。

*1Energy Dispersive x-ray Spectrometer(能譜儀(EDS))

*2Electron Backscatter Diffraction(電子背散射衍射(EBSD))

特點(diǎn)

核心理念

1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒

?HR模式下可實(shí)現(xiàn)高分辨觀察(半內(nèi)透鏡)

?FF模式下可實(shí)現(xiàn)高精度加工終點(diǎn)檢測(Timesharing Mode)

2. 高通量加工

?可通過高電流密度FIB實(shí)現(xiàn)快速加工(束流100nA)

?用戶可根據(jù)自身需求設(shè)定加工步驟

3. Micro Sampling System*3

?運(yùn)用ACE技術(shù)(加工位置調(diào)整)抑制Curtaining效應(yīng)

?控制離子束的入射角度，制備厚度均勻的薄膜樣品

4. 實(shí)現(xiàn)低損傷加工的Triple Beam System*3

?采用低加速(Ar/Xe)離子束，實(shí)現(xiàn)低損傷加工

?去除鎵污染

5. 樣品倉與樣品臺適用于各種樣品分析

?多接口樣品倉(大小接口)

?超大防振樣品臺(150 mm□)

*3選配

高性能SEM鏡筒

Ethos搭載的SEM配有兩種透鏡模式。HR模式可將樣品置于透鏡磁場之中，實(shí)現(xiàn)樣品的高分辨觀察。FF模式可在最短10nsec內(nèi)切換FIB照射與SEM觀察。用戶可在高速幀頻下觀察SEM圖像的同時，進(jìn)行FIB加工，因此，可輕松判斷截面的加工終點(diǎn)。NX5000采用電磁復(fù)合透鏡，即使在FF模式下也可保持高分辨觀察。

高分辨SEM觀察實(shí)例

高性能FIB鏡筒

通過高電流密度FIB可實(shí)現(xiàn)快速加工、廣域加工、多處自動加工等

分時掃描模式

在FIB、Ar/Xe離子束照射時，可實(shí)時或分時觀察SEM圖像

采用Cut & See模式可實(shí)現(xiàn)三維重構(gòu)

抑制FIB加工損傷的高質(zhì)量TEM樣品制備

采用低加速氬離子束以及高電流密度FIB，可實(shí)現(xiàn)快速加工、廣域加工以及多處自動加工等

在制備極薄樣品時，必須采用廣域且低損傷的加工方法。

Ethos采用樣品加工位置調(diào)整與低加速氬離子束精加工相結(jié)合的ACE技術(shù)，可制備出高質(zhì)量的TEM薄膜樣品。

ACE: Anti Curtaining Effect

GUI設(shè)計進(jìn)一步提升了視覺美觀和響應(yīng)速度

4種信號可供選擇

■ In-Column探測器(SED×1、BSE×2)與樣品倉SE探測器可同時采集信號

■ 搭載各SEM光學(xué)系統(tǒng)的Beam條件保存與讀取功能

■ 可根據(jù)不同觀察需求(形貌/成分)，選擇的探測器

■ 每種探測器均可實(shí)現(xiàn)對比度、亮度等個性設(shè)置、保存與輸出

建立多樣化的加工模式與定序

登錄和輸出各種加工模式/觀察條件

■ 拖拽即可簡單建立加工/觀察定序

■ 各加工模式與程序加工均可自由編輯與登錄

■ 可通過輸出當(dāng)前的程序加工，簡單完成加工設(shè)置

■ 可通過讀取當(dāng)前的定序，大大簡化重復(fù)操作

■ 可通過復(fù)制并編輯定序，進(jìn)一步提高擴(kuò)展性與靈活性

通過運(yùn)用各種加工模式，靈活設(shè)置加工范圍

■ 加工模式支持矩形、圓形、三角形、平行四邊形、傾斜加工、Bit-map加工等

■ 應(yīng)用加工支持橫截面加工以及TEM樣品制備

■ Vector Scan*3可根據(jù)向量信息顯示加工范圍，完成精準(zhǔn)定位。而且，圖像(bmp)轉(zhuǎn)換成向量后，也可繼續(xù)進(jìn)行樣品加工

■ 搭載各種離子束照射位置補(bǔ)償功能(漂移校正功能)，可實(shí)現(xiàn)高精度加工

*3選配

超大樣品倉支持各種用途

■ 配置支持高分辨觀察的防振樣品臺

■ 設(shè)置多種接口，可加裝更多的選配附件，實(shí)現(xiàn)多種樣品加工、觀察以及分析

規(guī)格

項(xiàng)目		內(nèi)容
FIB	二次電子像分辨率（C.P）	4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
	加速電壓	0.5 kV – 30 kV
	探針電流范圍	0.05 pA – 100 nA
	離子源	GA液體金屬離子源
SEM	二次電子像分辨率（C.P）	1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
	加速電壓	0.1 kV – 30 kV
	探針電流范圍	5 pA – 10 nA
	電子槍	冷場場發(fā)射電子槍
標(biāo)準(zhǔn)探測器		In-Column二次電子探測器 SE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（L） Chamber二次電子探測器 SE（L）
驅(qū)動范圍（5軸反饋控制）	X	155 mm
	Y	155 mm
	Z	16.5 mm
	R	0 - 360° 旋轉(zhuǎn)
	T	-10～59°
樣品尺寸		直徑 150 mm
選配		Ar/Xe離子束系統(tǒng) Micro Sampling System 氣體注入系統(tǒng)（雙室或三室貯氣筒）碳鉑鎢電動搬運(yùn)式樣品交換倉連續(xù)自動加工軟件連續(xù)A-TEM2 各種樣品桿 EDS（能譜儀） EBSD（電子背散射衍射）

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn)

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