上海實(shí)貝儀器設(shè)備廠
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上海實(shí)貝儀器設(shè)備廠
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產(chǎn)品型號(hào)PVD-090-HMDS
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海市
聯(lián)系方式：任俊萍查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間：2025-10-23 10:01:21瀏覽次數(shù)：775次
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在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容
HMDS預(yù)處理真空烘箱
HMDS真空烘箱 真空干燥箱
HMDS真空烘箱 真空干燥箱
一、HMDS 預(yù)處理系統(tǒng)的必要性：
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)：
1)設(shè)備外殼采用科研級(jí)不銹鋼316L不銹鋼材質(zhì)制作，內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成；采用C型不銹鋼加熱管,均勻分布在內(nèi)膽外壁，內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置；采用鋼化、防彈雙層玻璃觀察窗,便于觀察工作室內(nèi)物品實(shí)驗(yàn)情況。
2)箱門閉合松緊能調(diào)節(jié)，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內(nèi)保持高真空度。
3) 采用微電腦PID控制,系統(tǒng)具有自動(dòng)控溫,定時(shí),超溫報(bào)警等,采用LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡(jiǎn)單易用,性能穩(wěn)定.
4)智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時(shí)間。
5)HMDS氣體密閉式自動(dòng)吸取添加設(shè)計(jì)，使真空箱密封性能*，確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6)整個(gè)系統(tǒng)采用優(yōu)質(zhì)科研級(jí)316L不銹鋼材料制作，無發(fā)塵材料，適用百級(jí)光刻間凈化環(huán)境。
三、產(chǎn)品型號(hào)及參數(shù)：
型號(hào)：PVD-090-HMDS
容積：90L
控溫范圍：R.T.+10～250℃
溫度分辨率：0.1℃
控溫精度：±0.5℃
隔板數(shù)量：2PCS
真空度：<133Pa
真空泵：DM4
電源：AC220/50HZ
額定功率：3.0KW
內(nèi)膽尺寸mm：450X450X450
外形尺寸mm：寬650*深640*高910
木箱包裝mm:寬840*深750*高1100
連接管：316不銹鋼波紋管，將真空泵與真空箱*密封無縫連接
四、PVD-090-HMDS系列預(yù)處理系統(tǒng)的原理：
PVD-090-HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對(duì)烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
五、PVD-090-HMDS系列預(yù)處理系統(tǒng)的一般工作流程：
首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_真空泵抽真空，待腔內(nèi)真空度達(dá)到某一高真空度后，開始充入氮?dú)?，充到某低真空度后，再次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^程，到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后，開始保持一段時(shí)間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后，停止充入HMDS藥液，進(jìn)入保持階段，使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時(shí)間后，再次開始抽真空。充入氮?dú)?，完成整個(gè)作業(yè)過程。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應(yīng)，在硅片表面生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。
六、尾氣排放：
多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集管道時(shí)需做專門處理。
七、產(chǎn)品操作控制系統(tǒng)平臺(tái)配置:
1.采用DM4直聯(lián)旋片式真空泵
2.采用AISET溫控器控制溫度,日本三菱可編程觸摸屏操作模塊.
3.固態(tài)繼電器
其他選配：
1）加急停裝置
2）波紋管2米（標(biāo)配為1米）
3）富士溫控儀表（溫度與PLC聯(lián)動(dòng)）
4）三色燈
5）增加HMDS液體瓶
6）下箱柜子（304不銹鋼）
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