DP-SB100A磁電阻薄膜的磁電阻測量儀
DP-SB100A/1四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀

        使用環(huán)境為5~40℃，相對濕度<80%，供電220V 50Hz，為實驗室環(huán)境使用。

DP-SB100A和DP-SB100A/1為原DP-SB100和DP-SB100/1的改型。

DP-SB100A由磁場電源DP-SB119型穩(wěn)壓電源，亥姆霍茲磁場線圈，DP-SB118型直流電壓電流源，DP-PZ158A型直流數(shù)字電壓表以及四探針實驗平臺五部分組成。

DP-SB100A/1由DP-SB118型直流電壓電流源，DP-PZ158A型直流數(shù)字電壓表以及四探針實驗平臺三部分組成。

其中：
              磁場電源：DP-SB119型直流穩(wěn)壓電源能產(chǎn)生0~60V連續(xù)可調(diào)電壓，Z大額定電流為輸出，詳見本公司產(chǎn)品DP-SB119。
             亥姆霍茲磁場線圈：由2只相同類型的線圈分別固定在樣品平臺的襯盤兩側(cè)。線圈在實驗平臺上可360º轉(zhuǎn)動，能產(chǎn)生磁場0~150奧斯。
              DP-SB118型電壓電流源：既可輸出5µV~50V，5檔可調(diào)電壓，基本誤差為±（0.1%RD+0.02%FS）又可輸出1nA~100mA，5檔可調(diào)電流，基本誤差為±（0.03%RD+0.02%FS）詳見本公司產(chǎn)品SB118。
              DP-PZ158A直流數(shù)字電壓表：其為1臺6½位的Z分辨力可達(dá)0.1µV，可測量0~1000V直流電流的儀表?；玖砍痰幕菊`差為±（0.002%RD+0.0005%FS），詳見本公司產(chǎn)品DP-PZ158A。
              四探針實驗平臺：其由底盤，可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤，在襯盤上的樣品平臺以及在樣品平臺上安置的四探針組成。詳見本公司產(chǎn)品實驗平臺。

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半導(dǎo)體電阻率測試儀型號：DP-SB100A/1

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