中試控股是抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的生產(chǎn)廠家， 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 可以有效地發(fā)現(xiàn)電器設(shè)備絕緣的整體受潮劣化變質(zhì)以及局部缺陷等，在電工制造、電氣設(shè)備安裝、交接和預(yù)防性試驗(yàn)中都廣泛應(yīng)用。本篇文章中試控股電氣試驗(yàn)知識分享：介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)。

中試控股電氣試驗(yàn)知識分享：介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)

        介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn) ：tgδ是IR / IC的比值，它能反映電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小，只與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)，而與其體積大小尺寸均沒有關(guān)系。因此，tgδ的測試目的，也是能夠有效地發(fā)現(xiàn)設(shè)備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對小電容設(shè)備，如套管、互感器（電容式）也能夠發(fā)現(xiàn)內(nèi)部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。

 中試控股是抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的生產(chǎn)廠家， 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 可以有效地發(fā)現(xiàn)電器設(shè)備絕緣的整體受潮劣化變質(zhì)以及局部缺陷等，在電工制造、電氣設(shè)備安裝、交接和預(yù)防性試驗(yàn)中都廣泛應(yīng)用。本篇文章中試控股電氣試驗(yàn)知識分享：介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)。

中試控股電氣試驗(yàn)知識分享：介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)

        介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn) ：tgδ是IR / IC的比值，它能反映電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小，只與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)，而與其體積大小尺寸均沒有關(guān)系。因此，tgδ的測試目的，也是能夠有效地發(fā)現(xiàn)設(shè)備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對小電容設(shè)備，如套管、互感器（電容式）也能夠發(fā)現(xiàn)內(nèi)部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。

木森電氣帶你漲姿勢：常規(guī)電力試驗(yàn)-介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)

常規(guī)電力試驗(yàn)-介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)

        但要說明一點(diǎn)的是，針對大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測量時(shí)，只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會(huì)被發(fā)現(xiàn)；而對于套管、互感器等小電容量的設(shè)備，測tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨(dú)測試引出線套管的tgδ，也要測套管連同繞組的介損tgδ，就是因?yàn)樘坠苋粲腥毕輹r(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現(xiàn)出來。 一般設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)都由多層絕緣、多種材料構(gòu)成。

        如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示，其他良好絕緣用C 2tgδ2表示，兩部分并聯(lián)，則有

                      P1 = C 1 tgδ 1 P2 = C 2 tgδ 2

         而總的損耗為P = U2 ωC tgδ ①

         U、ω一定時(shí)，P與C、tgδ有關(guān)， → P = C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C = C1 + C2

         則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 = C tgδ tgδ= （C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2）/（C1 + C2）②

         若套管電容C 1= 250PF，tgδ1= 5% （超差） 而變壓器電容C 2= 10000PF，tgδ2= 0.4% （良好） 從②式可以看出總tgδ= 0.5 %（合格），可見明顯形成了誤判斷。

        設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：因?yàn)榫群挽`敏度的原因，一般按照試驗(yàn)設(shè)備說明書進(jìn)行.一般接線形式主要有二種。

       （1）正接法：適用于測量兩相對地絕緣的設(shè)備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；

        （2）反接法：適用于測量一級接地的設(shè)備，設(shè)備的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式 CT的末屏tgδ等。

         另外還有自激法，對角接線等，不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。 需要說明的是現(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件，力求測試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺，以達(dá)到兩極絕緣的條件。

中試控股帶你漲姿勢：常規(guī)電力試驗(yàn)-介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)

抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

        對于CVT中壓電容的tgδ測試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。 另外，tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值，是因?yàn)闇囟葘gδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規(guī)定了溫度換算，一般應(yīng)校正到20℃時(shí)進(jìn)行與廠家試驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較，換算公式為：

         （1） 環(huán)境溫度高于20℃時(shí)，tgδ20 = tgδt / A

        （2） 環(huán)境溫度低于20℃時(shí)，tgδ 20 = tgδt * A A：與20℃溫差值不同的換算系數(shù)，見相關(guān)規(guī)程。

          以上文章是中試控股電氣試驗(yàn)知識分享：介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)全部內(nèi)容

帶你漲姿勢：常規(guī)電力試驗(yàn)-介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)

常規(guī)電力試驗(yàn)-介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)

        但要說明一點(diǎn)的是，針對大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測量時(shí)，只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會(huì)被發(fā)現(xiàn)；而對于套管、互感器等小電容量的設(shè)備，測tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨(dú)測試引出線套管的tgδ，也要測套管連同繞組的介損tgδ，就是因?yàn)樘坠苋粲腥毕輹r(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現(xiàn)出來。 一般設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)都由多層絕緣、多種材料構(gòu)成。

        如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示，其他良好絕緣用C 2tgδ2表示，兩部分并聯(lián)，則有

                      P1 = C 1 tgδ 1 P2 = C 2 tgδ 2

         而總的損耗為P = U2 ωC tgδ ①

         U、ω一定時(shí)，P與C、tgδ有關(guān)， → P = C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C = C1 + C2

         則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 = C tgδ tgδ= （C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2）/（C1 + C2）②

         若套管電容C 1= 250PF，tgδ1= 5% （超差） 而變壓器電容C 2= 10000PF，tgδ2= 0.4% （良好） 從②式可以看出總tgδ= 0.5 %（合格），可見明顯形成了誤判斷。

        設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：因?yàn)榫群挽`敏度的原因，一般按照試驗(yàn)設(shè)備說明書進(jìn)行.一般接線形式主要有二種。

       （1）正接法：適用于測量兩相對地絕緣的設(shè)備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；

        （2）反接法：適用于測量一級接地的設(shè)備，設(shè)備的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式 CT的末屏tgδ等。

         另外還有自激法，對角接線等，不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。 需要說明的是現(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件，力求測試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺，以達(dá)到兩極絕緣的條件。

中試控股帶你漲姿勢：常規(guī)電力試驗(yàn)-介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)

抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

        對于CVT中壓電容的tgδ測試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。 另外，tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值，是因?yàn)闇囟葘gδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規(guī)定了溫度換算，一般應(yīng)校正到20℃時(shí)進(jìn)行與廠家試驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較，換算公式為：

         （1） 環(huán)境溫度高于20℃時(shí)，tgδ20 = tgδt / A

        （2） 環(huán)境溫度低于20℃時(shí)，tgδ 20 = tgδt * A A：與20℃溫差值不同的換算系數(shù)，見相關(guān)規(guī)程。

          以上文章是中試控股電氣試驗(yàn)知識分享：介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗(yàn)全部內(nèi)容