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MEMS加速度傳感器尺寸、功耗將不斷改進

閱讀:1521發(fā)布時間:2012-12-7

MEMS加速度傳感器工藝尺寸將以8英寸為主,低功耗化已成為加速度傳感器廠商形成差異化的重要因素之一。
    在工藝方面,消費電子類MEMS傳感器以8英寸為主;汽車電子和醫(yī)療電子類MEMS傳感器以6英寸為主,預計到2018年左右基本以8英寸為主。
    為進一步改進尺寸及功耗以滿足市場需求,MEMS廠商也在加快應用新技術。意法半導體、博世和飛思卡爾等廠商都推出了2mm×2mm的3軸加速度傳感器,如意法半導體的LIS2DH、博世的BMA250、飛思卡爾的MMA8652等產(chǎn)品。而國內(nèi)廠商蘇州明皓預計2013年*季度推出國內(nèi)2mm×2mm的3軸加速度傳感器。展望未來,意法半導體、博世等大廠欲采用WLCSP和TSV技術以便生產(chǎn)更為小巧的加速度傳感器,面積有望縮小75%,達到1mm2。
    為了降低功耗,MEMS廠商除了不斷降低工作電流,還推出具有FIFO功能和低功耗模式的加速度傳感器。如ST LIS3DH擁有32級FIFO緩存器,可以用來緩存數(shù)據(jù),減少處理器讀取次數(shù),以減輕處理器負擔和降低功耗。目前低功耗化已成為加速度計廠商形成差異化的重要因素之一,降低功耗后不僅在智能手機市場上的銷售量會越來越多,而且還能夠以此為契機涉足要求低功耗化的其他應用領域。


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