EPMA-8050G電子探針顯微分析儀

“The Grand EPMA” 誕生

搭載zui*場發(fā)射電子光學(xué)系統(tǒng) 
將島津EPMA分析性能發(fā)揮到*

從SEM觀察條件到1μA量級，在各種束流條件下都擁有空間分辨率的*場發(fā)射電子光學(xué)系統(tǒng)。結(jié)合島津傳統(tǒng)的高性能X射線譜儀，將分析性能發(fā)揮至*。

*的“The Grand EPMA” ，zui高水準(zhǔn)的EPMA誕生！

超高分辨率面分析

對碳膜上Sn球放大3萬倍進(jìn)行面分析。即使是SE圖像（左側(cè)）上直徑只有50nm左右的Sn顆粒，在X射線圖像（右側(cè)）上也是清晰可見。

zui*技術(shù)實現(xiàn)

■ 的空間分辨率
EPMA可達(dá)到的高級別的二次電子圖像分辨率3nm（加速電壓30kV）分析條件下的二次電子分辨率。
（加速電壓10kV時20nm@10nA/50nm@100nA/150nm@1μA）

■ 二次電子圖像zui高分辨率3nm
碳噴鍍金顆粒的觀察實例。實現(xiàn)zui高分辨率
3nm（@30kV）。相對較高的束流也可將電子束壓
細(xì)聚焦，更加容易的獲得高分辨率的SEM圖像。

■ 大束流超高靈敏度分析 
實現(xiàn)3.0μA（加速電壓30kV）的zui大束流。
全束流范圍無需更換物鏡光闌。

■ zui多可同時搭載5通道高性能4英寸X射線譜儀
無人可及的52.5°X射線取出角。
4英寸羅蘭圓半徑兼顧高靈敏度與高分辨率。
zui多可同時搭載5通道相同規(guī)格的X射線譜儀。

■ 全部分析操作簡單易懂 
全部操作僅靠一個鼠標(biāo)就可進(jìn)行的*可操作性。
追求「易懂」的人性化用戶界面。
搭載導(dǎo)航模式，自動指引直至生成報告。

超高靈敏度面分析

使用1μA束流對不銹鋼進(jìn)行5000倍的面分析。精確地捕捉到了Cr含量輕微不同形成的不同的相（左側(cè)），同時也成功地將含量不足0.1%的Mn分布呈現(xiàn)在我們眼前（右側(cè)）。

實現(xiàn)微區(qū)超高靈敏度分析的*技術(shù)

1　高亮度肖特基發(fā)射體 
場發(fā)射電子槍采用的肖特基發(fā)射體比一般傳統(tǒng)SEM使用的發(fā)射體針尖直徑更大，輸出更高。即可以保持其高亮度，還可提供高靈敏度分析*的穩(wěn)定大電流。

2　 EPMA電子光學(xué)系統(tǒng) 
電子光學(xué)系統(tǒng)，聚光透鏡盡可能的接近電子槍一側(cè)，交叉點不是靠聚光透鏡形成，而是由安裝在與物鏡光闌相同位置上，具有獨立構(gòu)成與控制方式的可變光闌透鏡來形成交叉點的（日本：第4595778號）。簡單的透鏡結(jié)構(gòu)，既能獲得大束流，同時全部電流條件下設(shè)定zui合適的打開角度，將電子束壓縮到zui細(xì)。當(dāng)然是不需要更換物鏡光闌的。

3　超高真空排氣系統(tǒng) 
電子槍室、中間室、分析腔體之間分別安裝有篩孔（orifice）間隔方式的2級差動排氣系統(tǒng)。中間室與分析腔體間的氣流孔做到zui小，以控制流入中間室的氣體，使電子槍室始終保持著超高真空，確保發(fā)射體穩(wěn)定工作。

4　高靈敏度X射線譜儀 
zui多可同時搭載5通道兼顧高靈敏度與高分辨率的4英寸X射線譜儀。52.5°的X射線取出角在提高了X射線信號的空間分辨率的同時，又可減小樣品對X射線的吸收，實現(xiàn)高靈敏度的分析。

的空間分辨率：

使用分析條件束流，引以為傲的二次電子圖像分辨率。（加速電壓10kV時，20nm@10nA//50nm@100nA/150nm@1μA）。與原來的電子槍（CeB6、鎢燈絲）的結(jié)果相比，一目了然。

由于可用更大的束流得到與原來電子槍相同分辨率的圖像，所以可進(jìn)行超高靈敏度的X射線分析。 更加值得注意的是，束流為1μA時的SEM圖像。能夠得到1μA以上束流，而且可以壓縮到如此細(xì)的只有EPMA-8050G。

各種電子槍產(chǎn)生電子束的特性比較（加速電壓10kV）

大束流超高靈敏度分析：

場發(fā)射類型的SEM、EPMA可實現(xiàn)其他儀器所不能達(dá)到的大束流（加速電壓30kV時zui大3μA）。在超微量元素的檢測靈敏度上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，將元素面分析時超微量元素成分分布的可視化成為現(xiàn)實。而且，所有束流范圍內(nèi)不需要更換物鏡光闌，*不用擔(dān)心合軸，實現(xiàn)了高度自動化分析。

面的3個圖像為不同束流下，對不銹鋼中約1%左右Si進(jìn)行面分析的結(jié)果※。束流越大，偏差越小，越能更加清楚的確認(rèn)包含Si的范圍。

※ 分析條件：加速電壓10kV，積分時間50msec。分析花費時間約1小時。

zui多可同時搭載5通道高性能4英寸X射線譜儀

X射線取出角決定分析性能，52.5°更勝*

對X射線的吸收越少，靈敏度越高。

高X射線取出角，可降低吸收帶來的影響，可以對深孔底部、孔中異物進(jìn)行分析。

對深孔中異物的分析實例。左下為鐵（Fe）的分布，右下為鈦（Ti）的分布。通過EPMA-8050G的高取出角，即使是表面明顯凹凸不同的樣品，也可進(jìn)行高精度分析。

分光晶體采用全聚焦*型晶體。

秉承島津研發(fā)經(jīng)驗的晶體加工制備工藝，保證提供高靈敏度·高分辨率兼?zhèn)涞姆止饩w。Johanson(*)型分光晶體是全聚焦晶體，無像差。

zui多可同時搭載5通道兼顧高靈敏度、高分辨率的4英寸譜儀。

X射線譜儀羅蘭圓直徑是影響EPMA分析性能至關(guān)重要的因素之一。羅蘭圓半徑每增加1英寸，檢出靈敏度下降30%以上。島津EPMA可zui多同時搭載5通道覆蓋全部分光范圍的4英寸譜儀。

譜儀構(gòu)成

各分光晶體可分析元素以及*譜儀組合實例。

應(yīng)對譜儀的多通道安裝，我們配備有多種分光元件，可根據(jù)分析目的選擇的分光元件。島津EPMA在設(shè)計上無需更換物鏡光闌，就可發(fā)揮其性能。X射線譜儀也貫徹這種理念，分析時無需選擇羅蘭圓直徑、切換狹縫，就可兼顧靈敏度與zui高的分辨率。

全部分析操作簡單易懂

全部操作僅需一個鼠標(biāo)就可實現(xiàn)的*可操作性、追求「易懂」的人性化用戶界面、搭載導(dǎo)航模式等多個新功能，將「簡單易懂操作」成為現(xiàn)實。無論是初學(xué)者還是專家級用戶都可進(jìn)行得心應(yīng)手的操作分析。

● 從樣品導(dǎo)入到生成分析報告，操作方便。　
● 即便是*次使用也可輕松進(jìn)行樣品定位SEM觀察。
● 的可操控性，大大提高分析準(zhǔn)備工作的效率。
● 視覺上追求「易懂」的人性化用戶界面。
● 搭載導(dǎo)航模式，自動指引直至生成分析報告。

應(yīng)用

無鉛焊錫焊料中Ag與Cu的分布

對無鉛焊錫焊料中大量含有Ag的區(qū)域進(jìn)行面分析的數(shù)據(jù)。（加速電壓：10kV；照射電流：20nA）
Ag的X射線像中顆粒形狀與BSE像（COMPO）的顆粒形狀*。直徑約0.1μm的Ag顆粒也清晰可辨（紅色虛線圈出）。同時可確認(rèn)Cu顆粒的存在（黃色虛線圈出）。

生物體組織中的金屬元素

以下數(shù)據(jù)為EPMA捕捉到的腫瘤細(xì)胞中鉑（Pt）元素圖像，通過靶向給藥將抗腫瘤藥物*（鉑絡(luò)合物）導(dǎo)入小鼠頭頸部腫瘤組織中后進(jìn)行分析檢測。
*通過與癌細(xì)胞內(nèi)的遺傳因子DNA鏈結(jié)合，阻礙DNA的分裂（復(fù)制）以殺滅癌細(xì)胞，我們可以通過元素圖像了解抗癌藥物以何種形態(tài)進(jìn)入癌細(xì)胞內(nèi)。

選購件

跟蹤成圖面分析

在標(biāo)準(zhǔn)的面分析軟件上可以追加跟蹤功能。對于表面有凹凸的樣品，或者有傾斜面的樣品X-Y位置高度不同的時候，通過對樣品Z軸的高度進(jìn)行修正，可以抑制信號的強度低下，從而進(jìn)行高精度的面分析。

此功能根據(jù)事先取得的多點高度信息，在分析過程中通過逐一控制樣品臺的Z軸坐標(biāo)來實現(xiàn)。通過設(shè)定高度信息得出跟蹤面，可進(jìn)行等高線或3D顯示。

原理圖

●面分析結(jié)果

樣品實例　20cent 硬幣：Cu面分析

通過運用跟蹤功能，得到更準(zhǔn)確的元素分布。
※跟蹤功能應(yīng)用與人物像以及其周邊， ☆及邊框沒有使用跟蹤功能。

跟蹤線分析

與跟蹤成圖分析相同，在標(biāo)準(zhǔn)的線分析軟件上也可追加跟蹤功能。

相解析程序

根據(jù)元素相關(guān)關(guān)系，從各元素的面分析數(shù)據(jù)中選擇2或3個元素建立散布圖，用不同顏色來區(qū)分元素間的特定關(guān)系。另外，通過多個散布圖同時顯示，可以看出多元素之間的關(guān)聯(lián)。

● 特點

散布圖還可通過3D顯示，
便于從多角度觀察元素間關(guān)聯(lián)。

元素與散布圖之間相互切換，
可對多個元素間關(guān)聯(lián)進(jìn)行解析。

電子束侵入范圍

通過模擬可以知道入射電子束通過樣品表面進(jìn)入到樣品的深度及寬度。計算X射線侵入范圍的方法2種，分別為根據(jù)電子束擴(kuò)散大小、分析范圍求出電子能級，以及根據(jù)每個電子軌跡得出所以電子軌跡（侵入范圍）的蒙特卡洛法。