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青島市供應(yīng) SMC INR-244-647B

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更新時(shí)間:2018-05-14 09:00:00瀏覽次數(shù):285次

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SMC INR-244-647B

SMC INR-244-647B同步整流的好處

在高性能、高功率的轉(zhuǎn)換器中使用SR的好處是可以獲得更高的效率、更低的功耗、更佳的熱性能,以及當(dāng)同步FET并行連接時(shí)固有的理想電流共享特點(diǎn),而且盡管采用自動(dòng)組裝工藝(更高的可靠性)但還是可提高制造良率。如上面提到的那樣,若干個(gè)SMC INR-244-647B可以并行連接來(lái)應(yīng)對(duì)更高的輸出電流。

因?yàn)樵谶@種情況下有效的RDS(ON)與并行連接的器件數(shù)量成反比,因此降低了導(dǎo)通損耗。同樣,RDS(ON)具有正的溫度系數(shù),因此FET將等量分享電流,有助于優(yōu)化在SR器件之間的熱分布,這將提高器件和PCB散熱的能力,直接改善設(shè)計(jì)的熱性能。SR帶來(lái)的其他潛在的好處包括更小的外形尺寸、開(kāi)放的框架結(jié)構(gòu)、更高的環(huán)境工作溫度,以及更高的功率密度。

四、SMC INR-244-647B同步整流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)折中

在低電壓應(yīng)用中,設(shè)計(jì)工程師通常增加開(kāi)關(guān)頻率以減小輸出電感和電容的尺寸,以此使轉(zhuǎn)換器尺寸zui小化,并降低輸出紋波電壓。如果并聯(lián)多個(gè)FET,這樣的頻率增加也會(huì)增加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)損耗,因此必須根據(jù)具體的應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)折中。例如,在高輸入電壓、低輸出電壓的同步降壓轉(zhuǎn)換器上,因?yàn)楣ぷ鳁l件是FET比低端FET具有更低的RMS電流,因此FET應(yīng)該選擇具有低QG和高RDS(ON)的器件。對(duì)于這個(gè)器件來(lái)說(shuō),降低開(kāi)關(guān)損耗比導(dǎo)通損耗更重要。相反,低端FET承載更大的RMS電流,因此RDS(ON)應(yīng)該盡可能低。

在同步轉(zhuǎn)換器中選擇具有更強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力的控制器,通過(guò)使FET開(kāi)關(guān)所用的時(shí)間zui短,將能減少開(kāi)關(guān)損耗。然而,更快的上升和下降時(shí)間可產(chǎn)生高頻噪聲,這種噪聲可以導(dǎo)致系統(tǒng)噪聲和EMI問(wèn)題。

五、SMC INR-244-647B隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的同步整流轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)

采用隔離拓?fù)涞碾娫崔D(zhuǎn)換器被用在需要在系統(tǒng)地之間進(jìn)行隔離的系統(tǒng)中。這樣的系統(tǒng)包括分布式總線架構(gòu)、以太網(wǎng)供電系統(tǒng)和無(wú)線基站(圖2)。

 

SMC INR-244-647B在隔離轉(zhuǎn)換器中采用SR可以大大地提高其性能。所有的隔離拓?fù)?,包括正激、反激、推挽、半橋和全橋(電流和電壓反饋)都可以進(jìn)行同步整流。然而,在每個(gè)拓?fù)渲械腟R提供的足夠的、適時(shí)的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)都有其自身的挑戰(zhàn)性。

針對(duì)隔離拓?fù)涞拇渭?jí)FET的驅(qū)動(dòng)方案基本上有兩種:SMC INR-244-647B自驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O信號(hào)直接從次級(jí)變壓器繞組獲得,控制驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O信號(hào)從PWM控制器或一些其他初級(jí)的基準(zhǔn)信號(hào)獲得。對(duì)于一個(gè)給定的應(yīng)用,這些驅(qū)動(dòng)可以有幾種不同的實(shí)現(xiàn)方法。設(shè)計(jì)師應(yīng)該選擇能滿(mǎn)足性能要求的zui簡(jiǎn)單的解決方案。

 

SMC INR-244-647B自驅(qū)動(dòng)方案是zui簡(jiǎn)單、直接的SR驅(qū)動(dòng)方案(圖3),適合于那些在任何時(shí)間段內(nèi)變壓器電壓都不為零的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。兩個(gè)SR FET可替代輸出整流二極管,次級(jí)繞組產(chǎn)生的電壓驅(qū)動(dòng)SR的柵極。在大多數(shù)情況下,利用不同的變壓器線圈匝數(shù)比(NP∶ NS1∶NS2)和正確選擇SR FET,相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以獲得更高或更低的輸出電壓。

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