智能電源外設

　　A-B 1756-PA75R系列MCU在外設內(nèi)實現(xiàn)了低功耗智能，允許外設在深度睡眠模式下通過備用時鐘源自主運行。L 系列外設猶如微型內(nèi)核，能夠在不喚醒主內(nèi)核或系統(tǒng)的前提下執(zhí)行任務，從而大大降低功耗，提高電池使用壽命。例如，Kinetis L 系列 MCU包含異步DMA （ADMA）喚醒功能，允許某些外設在停止和VLPS模式下請求DMA傳輸。ADMA模塊將在外設和存儲器之間進行數(shù)據(jù)傳輸，而無需返回運行模式，也無需請求處理器進行干預。支持外設在深度睡眠狀態(tài)下繼續(xù)運行，可向SRAM中的數(shù)據(jù)陣列來回傳輸數(shù)據(jù)，直至收集到足夠數(shù)據(jù)進行處理。其它競爭產(chǎn)品則需要喚醒到全運行模式去激活外設并完成數(shù)據(jù)收集階段，然后返回深度睡眠模式。

　　例如，回到圖 1。采用A-B 1756-PA75R系列 MCU，數(shù)據(jù)收集階段在深度睡眠模式下開始并顯示了低功耗定時器觸發(fā)的三個周期性事件。該定時器觸發(fā)低功耗ADC轉(zhuǎn)換啟動，并通過ADC內(nèi)置的比較特性將結(jié)果與預編程的閾值進行對比。該特性可避免一旦得出的值不在理想?yún)?shù)范圍內(nèi)時需要存儲結(jié)果。請注意，前兩個事件不觸發(fā)去存儲結(jié)果。然而，zui后一個事件則會觸發(fā)，而不用喚醒CPU來存儲數(shù)據(jù)，相當微小的能量溢出。這是可以實現(xiàn)的，因為L系列的節(jié)能型外設支持異步DMA 喚醒功能，可以將ADC結(jié)果存儲到SRAM供以后處理，在這個過程中CPU依然處于睡眠狀態(tài)。在DMA傳輸完成后，MCU會自動返回深度睡眠模式。在通過低功耗UART收集或傳輸完足夠的數(shù)據(jù)后，CPU便可以‘喚醒’，并開始計算階段。這只是Kinetis L 系列 MCU提供節(jié)能外設的其中一個例子。

　　為了zui大限度地利用深度睡眠電源模式的高能效，A-B 1756-PA75R外設的智能集成是至關(guān)重要的。在傳統(tǒng)的MCU中，必須激活主時鐘和處理器內(nèi)核才能執(zhí)行任務，即使是執(zhí)行發(fā)送或接收數(shù)據(jù)、捕捉或生成波形或采樣模擬信號等小任務也是如此。

　　表3

　　A-B 1756-PA75R系列MCU在正面比拼的競爭中勝出

　　在與競爭對手相應的16位低功耗MCU展開正面能效基準挑戰(zhàn)賽中，L 系列證明它是能效zui高的入門級MCU。每個MCU都由*相同的充電電路供電，并都對低功耗運行進行了優(yōu)化。這些MCU執(zhí)行重復周期的EEMBC CoreMark®迭代，然后進入五秒鐘的深度睡眠期，連續(xù)重復上述操作直到zui后一個MCU依然能夠激活。在與同級別超高效競爭對手對比中，Kinetis L 系列MCU是堅持到zui后的那款。

　　A-B 1756-PA75R系列MCU將*的處理能力與的低功耗運行相結(jié)合，測量得出的結(jié)果為15.9 CoreMark/mA，遠高于競爭產(chǎn)品的參數(shù)（參見下圖2）。

　　圖 2：A-B 1756-PA75R集*的處理能力與的低功耗運行于一身，以測量結(jié)果為15.9 CoreMark/mA，的優(yōu)異成績勝出。

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