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Emerson FX-316 銅陵市供應(yīng) FX-316

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品       牌

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所  在  地上海

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更新時間:2018-05-14 09:00:00瀏覽次數(shù):424次

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Emerson FX-316

 Emerson FX-316數(shù)學(xué)模型的參數(shù)分析

    根據(jù)參考文獻[7-8]中LCL參數(shù)的選取方法,并考慮到LCL電容值參數(shù)在APF不可控整流預(yù)充電過程中有較大的影響(例如APF啟動時限流電阻為51Ω,40uF電容時整流后直流側(cè)電壓穩(wěn)定在473V,整流時直流側(cè)電容充電過程如圖4所示),在APF仿真模型中LCL參數(shù)分別取值為表1,分析改變電氣參數(shù)對系統(tǒng)性能的影響。

圖4 Emerson FX-316中C為40uF時C上電壓曲線

表1 LCL參數(shù)取值

L1(mH)

L2(mH)

C(uF)

R(Ω)

0.35

0.08

40

1

0.35

0.08

50

1

0.35

0.08

60

1

0.35

0.1

50

1

0.35

0.08

50

0

0.35

0.08

50

2

 

    Emerson FX-316分組對比分析各個參數(shù)的影響:

    (1)L1=0.35mH,L2=0.08mH,R=1Ω,改變C的值為40uF、50uF、60uF時對比傳遞函數(shù)H(S)的伯德圖(如圖5所示)。

圖5 不同電容參數(shù)bode圖

    由圖5可以看出幅頻特性的C增大,諧振頻率fres減小,向低頻域移動。在低頻段沒有什么衰減作用,在高頻段對高頻部分(高于諧振頻率的部分)以25dB/每十倍頻程進行衰減,衰減有所增加但是增加的量很少;由相頻特性可以看出相位角偏移起始頻率也向低頻域移動。

(2)L1=0.35mH,C=50uF,R=1Ω,改變L2的值為0.08mH、0.1mH時對比傳遞函數(shù)H(s)的伯德圖(如圖6所示)。

圖6 Emerson FX-316不同電抗參數(shù)bode圖

    由圖6幅頻特性可以看出L2的增大,諧振頻率fres減小,向低頻域移動,在低于諧振頻率的低頻域增益為0dB,沒有衰減作用,在高于諧振頻率的高頻域開始衰減對高頻的衰減作用很明顯,可以根據(jù)諧振點看出i2在偏離i1的程度,即衰減程度。由相頻特性可以看出相位角偏移起始頻率也向低頻域移動。

(3)L1=0.35mH,C=50uF,L2=0.08mH ,改變R的值為0Ω、1Ω、2Ω時對比傳遞函數(shù)H(S)的伯德圖(如圖7所示)。

圖7 Emerson FX-316不同阻尼電阻參數(shù)bode圖

    由圖7幅頻特性可以看出阻尼R的增大,Emerson FX-316抑制諧振的能力越強,阻尼R值大了之后會導(dǎo)致在高頻域內(nèi)雖然較大程度上的抑制了諧振峰值,但是高頻域的濾波性能變差;阻尼R值過小會導(dǎo)致抑制諧振能力不夠。由相頻特性可以看出增大阻尼R值會導(dǎo)致相位角偏移的速度在頻率升高時較為緩慢。

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