140DDO35301內(nèi)容尋址存儲器IP

由于速度更快，能耗更低，且與用于執(zhí)行大量搜索任務(wù)的應(yīng)用程序的算法途徑相比，占用芯片空間更小，因此這類IP大多作為TCAM（三進(jìn)制）或BCAM（二進(jìn)制）IP,用于搜索引擎類應(yīng)用程序。通常情況下，搜索可在單個時鐘周期內(nèi)完成。TCAM和BCAM通常用于包轉(zhuǎn)發(fā)、以太網(wǎng)地址過濾、路由查詢、固件搜索、主機(jī)ID搜索、存儲器去耦合、目錄壓縮、包分類以及多路高速緩存控制器等

140DDO35301單晶體管SRAM

這種結(jié)構(gòu)雖然速度有所下降，但密度*，可用于180nm,160nm,152nm,130nm,110nm,90nm以及65nm流程。尤其適用于需要大量片上存儲空間--大多大于256Kbit,但不需要*的存取速度的ASIC/SoC程序，以及空間有限且存儲器塊存在泄露電流的設(shè)計。本結(jié)構(gòu)可生成與SRAM工作原理相似的存儲器陣列，但其基礎(chǔ)為單晶體管/單電容（1T）存儲單元（如動態(tài)RAM所用）。

由于采用了6T存儲陣列，因此在相同的芯片空間上，單晶體管SRAM陣列的存儲能力更強(qiáng)，但需要在系統(tǒng)控制器和邏輯層面，了解存儲器的動態(tài)特性，并在刷新控制的提供上發(fā)揮積極作用。在某些情況下，為使其看起來像簡單易用的SRAM陣列，也可能對DRAM及其自身控制器進(jìn)行集成。通過高密度1T宏塊與某些提供刷新信號的支持邏輯的整合，可使存儲單元的動態(tài)特性透明化，設(shè)計師可在實(shí)施ASIC和SoC解決方案時，將存儲器塊作為靜態(tài)RAM對待。

140DDO35301作為可獲得許可IP,1TSRAM可從晶圓代工廠獲得。但是，由于某些此類IP需要額外掩膜層（除標(biāo)準(zhǔn)CMOS層外），增加了晶圓成本，因而限制了晶圓代工廠的可選制造空間。為使額外的晶圓加工成本物有所值，芯片上采用的總DRAM陣列大小，通常必須大于50%的芯片空間。大部分可用DRAM宏均為硬宏單元，大小、長寬比以及接口的可選空間有限。

有一種單晶體管SRAM的特殊變體，140DDO35301采用了可通過標(biāo)準(zhǔn)批量CMOS流程制造的架構(gòu)，因此，它既無需修改掩膜，也無需額外的流程步驟。此類IP宏塊具有更高的成本效益（流程成本可節(jié)省15-20%），并且可在任何工廠進(jìn)行加工，也可出于成本或生產(chǎn)能力等原因，改換加工工廠。這種解決方案提供了多種尺寸、長寬比和接口，可逐一相應(yīng)的存儲器編譯器。對于140DDO35301系統(tǒng)的其余部分來說，生成的存儲器塊接口看起來就像靜態(tài)RAM,但其密度（位/單元空間）是基于6T存儲單元的存儲器陣列的2倍（經(jīng)過對作為空間計算一部分的全部支持電路的平均）。對于大型存儲器陣列來說，支持電路所需全部空間所占百分比較小，存儲器塊的空間利用率也更高。

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