NUTRON BV-10-S6B-MK6-V 一般的MT架構(gòu)設(shè)計方面，單一處理器核心在運算的過程中，常會有內(nèi)存存取速度跟不上處理器頻率增加的問題，進而導(dǎo)致高速緩存錯失（miss）時，形成執(zhí)行管線長時間閑置的狀況，我們都了解，1個系統(tǒng)中的儲存單元，zui快速的要屬處理器中的緩存器，其次是L1高速緩存、L2快取記體，zui后則是主存儲器，其速度的差別可達(dá)數(shù)千倍以上，處理器要取得指令或數(shù)據(jù)時，必先從高速緩存中提取，儲存于緩存器中進行運算，zui終結(jié)果再回存到高速緩存，并在空閑時填回主存儲器，當(dāng)NUTRON BV-10-S6B-MK6-V 處理器向高速緩存發(fā)出存取需求，卻發(fā)現(xiàn)所需要的數(shù)據(jù)不在高速緩存中，這是就必須花費大筆的時間前往主存儲器尋找并讀取，這其間所浪費的時間可能會高達(dá)數(shù)十個頻率周期，處理管線在等待數(shù)據(jù)*的時間，就形成了閑置狀態(tài)。

如果利用多執(zhí)行緒處理概念，適時的將其它執(zhí)行緒拉過來*已經(jīng)造成的閑置狀態(tài)，其速度的增長甚至可以達(dá)到非常明顯的地步，雖不至于倍增，但是由20％到40％都有可能。而要達(dá)成這樣的目的，在晶體管數(shù)目方面只需增加約15％的程度即可，若以一般同樣架構(gòu)的NUTRON BV-10-S6B-MK6-V 單核心處理器在變更為雙核心的效能增長程度約為40％到70％左右的程度，而晶體管數(shù)目幾乎要倍增的情況，就可看出MIPS的MT技術(shù)的效率有多高了。但是MT技術(shù)有個嚴(yán)重的缺陷，那就是多執(zhí)行緒工作處理過程中，過于頻繁的上下文切換（context switch）將有可能會造成*的效能耗損。

NUTRON BV-10-S6B-MK6-V 處理器結(jié)構(gòu)示意圖

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NEW AMAT Collimator Foil 0049-22029 Applied Materials

Applied Materials 0020-81224 ARC Chamber

NEW AMAT 8" Shield Lower 0020-26288 Applied Materials

NEW AMAT APPLIED MATERIALS GAS DISTRIBUTION PLATE, 133

Applied Materials 0040-9529

APPLIED MATERIALS (AMAT) BELLOWS, SLIT DOOR PRODUCER 

APPLIED MATERIALS PEDESTAL 125 mm, 0020-03434

APPLIED MATERIALS WPLATE PERF 125 MM OXIDE 0020-10122

Applied Materials Quartz Insert 0200-40091-G

Applied Materials AMAT Fujikin Valve, 3870-01603

Applied Materials AMAT In-LineGas Filter, 4020-01061

Applied Materials AMAT VCR Tee Weldment, 0050-42819

Applied Materials AMAT Kalrez O-Ring, 3700-02569

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Applied Materials AMAT KALREZ SAHARA O-RING, 3700-03768

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