?SANYO PY2E015A3MH1S01隨著VLSI技術(shù)的迅猛發(fā)展，微處理器主頻日益提高、性能飛速增長，盡管與此同時存儲器集成度也越來越高、存取延時也在不斷下降，但是處理器性能的年增長速度為50％～60％，而存儲器性能每年提高的幅度只有5％～7％，DRAM存儲器的低帶寬和高延遲使高性能處理器無法充分發(fā)揮其性能，處理器和存儲器之間速度的差距越來越成為制約整個系統(tǒng)性能的瓶頸。

眾多的研究者從微體系結(jié)構(gòu)出發(fā)，采取亂序執(zhí)行、多線程、預(yù)取、分支預(yù)測、推斷執(zhí)行等技術(shù)，或多級Cache的層次式存儲結(jié)構(gòu)來彌補微處理器與存儲器性能差距，但是這些技術(shù)存在多種問題：復(fù)雜、占用面積大、資源利用率低、造價高、耗盡存儲帶寬等，并不能真正解決存儲瓶頸問題。即使一些新的存儲器產(chǎn)品的出現(xiàn)，如DDR存儲器，Rambus存儲器等，雖然一定程度上提高了存儲器的頻率，但處理器和存儲器之間的性能差距還是在進一步拉大。如何才能真正消除存儲器性能瓶頸呢?PIM技術(shù)（Processing in Memory），即把處理器和存儲器緊密集成到一塊芯片上，?SANYO PY2E015A3MH1S01半導(dǎo)體制造工藝的進步使CMOS邏輯單元可以和SRAM或DRAM集成在一個硅片上，這樣可以突破芯片間引腳的限制，充分發(fā)揮存儲器的隱藏帶寬，同時降低訪問延時（將片間訪問延時轉(zhuǎn)換成片內(nèi)訪問延時遲）。

?SANYO PY2E015A3MH1S01以PIM技術(shù)為基礎(chǔ)，用向量部件作為協(xié)處理器構(gòu)成的Vector In Memory（VIM）體系結(jié)構(gòu)，可充分發(fā)揮PIM高帶寬、低延遲、低功耗的特點，開發(fā)數(shù)據(jù)級并行，是解決存儲系統(tǒng)性能瓶頸的有效途徑。本文具體闡述VIM體系結(jié)構(gòu)中影響存儲系統(tǒng)性能的關(guān)鍵部件嵌入式存儲控制器的設(shè)計與實現(xiàn)。

 2 ?SANYO PY2E015A3MH1S01體系結(jié)構(gòu) VIM是一種面向流式數(shù)據(jù)處理的向量體系結(jié)構(gòu)，其微體系結(jié)構(gòu)的處理器部分由1個標量核和1個向量協(xié)處理器構(gòu)成，嵌入式存儲控制器和存儲器構(gòu)成片上DRAM存儲系統(tǒng)，處理器部分和存儲系統(tǒng)之間由高速存儲交叉開關(guān)互連。VIM體系結(jié)構(gòu)zui重要的特征就是向量處理器和嵌入式存儲器的結(jié)合。圖1中給出了VIM系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的典型框架結(jié)構(gòu)

Applied Materials AMAT Chemraz O-Ring, 3700-00414

APPLIED MATERIALS T300_0010-14714 NEW

AMAT APPLIED MATERIALS 24VDC POWER SUPPLY
Pulled out from working enviorment, AS-IS!

APPLIED MATERIALS 0010-09750 CVD RF-MATCH

Applied Materials AMAT Bellows Assembly, 0040-96169

Applied Materials AMAT SWLL Feedthrough, 0040-03508

Applied Materials Fujikin Valve Manifold, 0010-25773

APPLIED MATERIALS AMAT 0010 21997 LASER ALIGNMENT TOOL

Applied Materials AMAT Pressure Switch, 1270-00140

APPLIED MATERIALS (AMAT) V17/V20 ASSY P/N 0010-C5920

MVME 110-1/AMAT Applied Materials 0100-11018 Motorola

APPLIED MATERIALS 0010-09093 OZONATOR POWER w/Cell

Applied Materials AMAT Valve Drive Assembly, 0010-10009