PROSOFT MVI56-CSC讀寫周期 

圖4為PROSOFT MVI56-CSC嵌入式存儲控制器命令狀態(tài)機(jī)狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，通過狀態(tài)轉(zhuǎn)換控制對DRAM的讀、寫訪問和刷新操作。

PROSOFT MVI56-CSC系統(tǒng)復(fù)位時(shí)，DRAM空操作，命令狀態(tài)機(jī)處于空閑狀態(tài)，DRAM初始化完成后，命令狀態(tài)機(jī)對總線地址選通信號sys_ADSn（低電平有效，表示總線請求）和刷新請求信號sys_REF_REQ進(jìn)行檢測，如果有刷新請求，那么命令狀態(tài)機(jī)模塊控制DRAM進(jìn)入刷新周期，否則，若總線地址選通信號sys_ADSn有效，命令狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)入激活狀態(tài)，則DRAM進(jìn)入讀寫周期。 命令狀態(tài)機(jī)從激活狀態(tài)無條件轉(zhuǎn)入激活延遲狀態(tài)，在激活延遲狀態(tài)對系統(tǒng)控制總線上的讀寫命令信號進(jìn)行檢測，若信號為高電平（表示讀訪問）則命令狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)入讀操作狀態(tài)，繼而進(jìn)行對DRAM讀取數(shù)據(jù)操作；否則狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)人寫操作狀態(tài)，執(zhí)行寫訪問。

對DRAM一個(gè)完整的讀訪問周期需要經(jīng)過的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程為空閑-激活-激活延遲-讀操作-CAS延遲-數(shù)據(jù)輸出，zui后回到空閑狀態(tài)。而對DRAM一個(gè)完整的寫訪問周期則需要經(jīng)過空閑-激活-激活延遲-寫操作-數(shù)據(jù)寫入-寫恢復(fù)-空閑的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程。 在所實(shí)現(xiàn)的VIM-1嵌入式存儲控制器中，將DRAM地址位A[10]恒置高電平，設(shè)置為自動(dòng)充電模式，所以對DRAM的充電隱藏在DRAM讀寫命令操作中。命令狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)換過程中所涉及到的延遲等待時(shí)間，由DRAM模塊速度和延遲參數(shù)確定。從c_ACTIVE到c_WRITE或c_READ狀態(tài)之間的虛線表示，在激活延遲小于1個(gè)時(shí)鐘周期的情況下，DRAM從激活狀態(tài)直接轉(zhuǎn)換到讀／寫操作狀態(tài)，延遲實(shí)際上隱藏在狀態(tài)轉(zhuǎn)換的時(shí)鐘周期中。

 3.4 刷新周期 DRAM存儲器需要進(jìn)行定時(shí)刷新，刷新周期描述如下：

（1）PROSOFT MVI56-CSC刷新模塊每經(jīng)過1個(gè)刷新請求周期，向控制模塊發(fā)出刷新請求信號sys_REF_REQ；

（2）PROSOFT MVI56-CSC存儲控制器的控制模塊發(fā)出應(yīng)答信號sys_REFACK對請求信號進(jìn)行確認(rèn)；

（3）應(yīng)答信號在整個(gè)刷新階段有效，sys_REF_REQ信號發(fā)出后必須得到sys_REF_ACK的確認(rèn)，否則一直保持為高；

（4）在sys_REF_ACK有效期間，不能允許進(jìn)行讀寫訪問，直到刷新周期完畢，在刷新期間系統(tǒng)接口所有命令將被忽略；

（5）接收刷新請求后，命令狀態(tài)機(jī)經(jīng)過c_AR刷新狀態(tài)-c_tRFC刷新等待狀態(tài)-c_idle空閑狀態(tài)的轉(zhuǎn)換過程完成對DRAM的刷新控制。并等待接收系統(tǒng)訪存指令，完成下一輪的讀／寫周期。

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