VME-VK22-5723它具有低功耗、大容量、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程（燒寫）、擦除等特點(diǎn)，并且可由內(nèi)部嵌入的算法完成對(duì)芯片的操作，因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲(chǔ)器。Flash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位的數(shù)據(jù)寬度，編程電壓為單3．3V。

與Flash存儲(chǔ)器相比較，SDRAM不具有掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性，但其存取速度大大高于Flash存儲(chǔ)器，且具有讀/寫的屬性，因此，SDRAM在系統(tǒng)中主要用作程序的運(yùn)行空間、數(shù)據(jù)及堆棧區(qū)。當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)，CPU首先從復(fù)位地址0x0處讀取啟動(dòng)代碼，在完成系統(tǒng)的初始化后，程序代碼一般應(yīng)調(diào)入SDRAM中運(yùn)行，以提高系統(tǒng)的運(yùn)行速度，同時(shí)，系統(tǒng)及用戶堆棧、運(yùn)行數(shù)據(jù)也都放在SDRAM中。SDRAM的存儲(chǔ)單元可以理解為一個(gè)電容，總是傾向于放電，為避免數(shù)據(jù)丟失，必須定時(shí)刷新（充電）。因此，要在系統(tǒng)中使用SDRAM，就要求微處理器具有刷新控制邏輯，或在系統(tǒng)中另外加入刷新控制邏輯電路，特別的情況是在系統(tǒng)失電后，要采取一種有效的機(jī)制確保將sDRAM中的數(shù)據(jù)寫入F1ash中。

 2、VME-VK22-5723基于掉電保護(hù)方案的硬件設(shè)計(jì) 圖1是一種典型的嵌入式系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案。系統(tǒng)的微處理器采用S3c4510B，是基于ARM7體系結(jié)構(gòu)的。SDRAM是一種易失性存儲(chǔ)器作為程序的運(yùn)行空間，類似于PC機(jī)的內(nèi)存；Flash作為程序存儲(chǔ)空間是非易失性的。程序運(yùn)行過(guò)程中的數(shù)據(jù)往往緩存在sDRAM中，在系統(tǒng)失電時(shí)必須寫往Flash

這個(gè)電源回路除了可以提供5v和3.3v的電源以外，還為系統(tǒng)掉電保護(hù)提供了延時(shí)及預(yù)警功能，通過(guò)軟件的配合可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的掉電保護(hù)機(jī)制。正常情況下，由供電回路1給整個(gè)系統(tǒng)供電。當(dāng)系統(tǒng)由于意外原因掉電時(shí)，由于輸入的比較電壓降低，這樣MAX809 模塊輸出電壓產(chǎn)生翻轉(zhuǎn)為系統(tǒng)提供掉電中斷預(yù)警信號(hào)，中斷請(qǐng)求通過(guò)外部中斷引腳XREQ0產(chǎn)生；同時(shí)供電回路2開(kāi)始啟用。

VME-VK22-5723通過(guò)大電容C3、c4放電，繼續(xù)為系統(tǒng)提供一段供電電壓，支持掉電中斷服務(wù)程序完成。供電回路2只給zui小系統(tǒng)供電，并不給耗電量大的外圍部件供電。這樣，給zui小系統(tǒng)的供電時(shí)間足夠長(zhǎng)，可以完成敏感數(shù)據(jù)的保護(hù)操作。 通過(guò)軟件測(cè)算，電容放電可供zui小系統(tǒng)工作時(shí)間在0.5～4.5S之間。這種測(cè)算方法很簡(jiǎn)單．編寫一個(gè)掉電中斷服務(wù)子程序，這個(gè)程序只是不斷進(jìn)行時(shí)間刷新操作。同樣，可以通過(guò)軟件測(cè)定在這段時(shí)間里向Flash擦寫2～3MB?？梢?jiàn)，在采用這種硬件體制的情況下，系統(tǒng)掉電保護(hù)能夠得到可靠的保證。

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