AB 1336-BDB-SP1C選擇帶有低功耗模式的系統(tǒng) 　　

低功耗模式指的是系統(tǒng)的等待和停止模式。處于這類模式下的單片機功耗將大大小于運行模式下的功耗。過去傳統(tǒng)的單片機，在運行模式下有wait和stop兩條指令，可以使單片機進入等待或停止狀態(tài)，以達到省電的目的。 　　

等待模式下，AB 1336-BDB-SP1CCPU停止工作，但系統(tǒng)時鐘并不停止，單片機的外圍I/O模塊也不停止工作；系統(tǒng)功耗一般降低有限，相當于工作模式的50%～70%。 　　

停止模式下，系統(tǒng)時鐘也將停止，由外部事件中斷重新啟動時鐘系統(tǒng)時鐘，進而喚醒CPU繼續(xù)工作，CPU消耗電流可降到μ*。在停止模式下，AB 1336-BDB-SP1CCPU本身實際上已經不消耗什么電流，要想進一步減小系統(tǒng)功耗，就要盡量將單片機的各個I/O模塊關掉。隨著I/O模塊的逐個關閉，系統(tǒng)的功耗越來越小，進入停止模式的深度也越來越深。進入深度停止模式無異于關機，這時的單片機耗電可以小于20 nA。其中特別要提示的是，片內RAM停止供電后，RAM中存儲的數據會丟失，也就是說，喚醒CPU后要重新對系統(tǒng)作初始化。因此在讓系統(tǒng)進入深度停止狀態(tài)前，要將重要系統(tǒng)參數保存在非易失性存儲器中，如EEPROM中。深度停止模式關掉了所有的I/O，可能的喚醒方式也很有限，一般只能是復位或IRQ中斷等。 　　

保留的AB 1336-BDB-SP1CI/O模塊越多，系統(tǒng)允許的喚醒中斷源也就越多。單片機的功耗將根據保留喚醒方式的不同，降至1μA至幾十μA之間。例如，用戶可以保留外部鍵盤中斷，保留異步串行口（SCI）接收數據中斷等來喚醒CPU。保留的喚醒方式越多，系統(tǒng)耗電也就會多一些。其他可能的喚醒方式還有實時鐘喚醒、看門狗喚醒等。停機狀態(tài)較淺的情況下，外部晶振電路還是工作的。 

AB 1336-BDB-SP1C以R系列單片機為例：在室溫（25℃）下，不包括I/O口的負載，以2 V供電，將可編程鎖相環(huán)時鐘設為16 MHz（總線時鐘8 MHz），典型電流值為2.6 mA，當溫度升高到85℃時，供電電流也升高到3.6 mA；而采用3 V供電，這一組數據升高至3.8 mA和4.8 mA。用2 V供電，直接使用外部晶振2 MHz（總線時鐘1 MHz）時，典型運行電流降至450 μA。

在等待狀態(tài)下，因時鐘并沒有停止，耗電情況和時鐘頻率有很大關系，節(jié)省的功耗有限；而進入輕度停止（stop3），以外部中斷喚醒，電流消耗在0. 5 μA左右。在中度停止態(tài)（stop2），功耗可進一步降低。使用內部1 kHz的時鐘，保持1個運行的時鐘，周期性喚醒CPU，所增加的電流約為0.3 μA。在深度停止態(tài)（s*），RAM的數據也不再保留，只能通過外部復位重啟系統(tǒng)，此時的電流消耗可降到20 nA。以上數據都是在室溫下測量所得。當環(huán)境溫度升高到85℃時，電流消耗可能增加3～5倍。

1.4選擇合適的時鐘方案 　　

時鐘的選擇對于系統(tǒng)功耗相當敏感，設計者需要注意兩個方面的問題： 　*是系統(tǒng)總線頻率應當盡量低。單片機內部的總電流消耗可分為兩部分——運行電流和漏電流。理想的CMOS開關電路，在保持輸出狀態(tài)不變時，是不消耗功率的。例如，典型的CMOS反相器電路，如圖2所示，當輸入端為零時，輸出端為1，P晶體管導通，N晶體管截止，沒有電流流過。而實際上，由于N晶體管存在一定漏電流，且隨集成度提高，管基越薄，漏電流會加大。溫度升高，CMOS翻轉閾電壓會降低，而漏電流則隨環(huán)境溫度的增高變大。在單片機運行時，開關電路不斷由“1”變“0”、由“0”變“1”，消耗的功率是由單片機運行引起的，我們稱之為“運行電流”。

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