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PNI電子羅盤TCM2.5（三軸羅盤）

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PNI電子羅盤模塊TCM2-20（三軸羅盤）： 。測(cè)量參數(shù)：航向，磁場(chǎng)強(qiáng)度，傾斜角和翻滾角。航向精度：0.5゜（水平放置時(shí)）；1゜（傾斜小于20゜時(shí)），（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.2゜）。翻滾精度：0.2゜。傾斜范圍：±20゜。磁場(chǎng)測(cè)量范圍：±0.8高斯（分辨率：100微高斯）。工作電壓：5VDC（Regulated）或6到18VDC（Unregulated）。尺 寸：6.5×5.1×3.175 cm 。工作溫度：-20 ℃到 +70 ℃ 。存儲(chǔ)溫度：-30 ℃到 +90 ℃ 。數(shù)字輸出：RS232（300-38400波特）。采樣率： 16次/秒。低功耗： 15-20毫安（睡眠狀態(tài)2.5毫安）。帶硬磁補(bǔ)償和軟磁補(bǔ)償 PNI電子羅盤模塊TCM2-50（三軸羅盤）： 。測(cè)量參數(shù)：航向，磁場(chǎng)強(qiáng)度，傾斜角和翻滾角。航向精度：1.0゜（水平放置時(shí)）；1.5゜（傾斜小于50゜時(shí)），（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.3゜）。傾斜精度：1.0゜（分辨率0.3゜，重復(fù)性0.3゜）。翻滾精度：1.0゜。傾斜范圍：±50゜。磁場(chǎng)測(cè)量范圍：±0.8高斯（分辨率：100微高斯）。工作電壓：5VDC（Regulated）或6到18VDC（Unregulated）。尺 寸：6.5×5.1×3.175 cm 。工作溫度：-20 ℃到 +70 ℃ 。存儲(chǔ)溫度：-30 ℃到 +90 ℃ 。數(shù)字輸出：RS232（300-38400波特）。采樣率： 16次/秒。低功耗： 15-20毫安（睡眠狀態(tài)2.5毫安）。帶硬磁補(bǔ)償和軟磁補(bǔ)償 PNI電子羅盤模塊TCM2.5（三軸羅盤）： 。測(cè)量參數(shù)：航向，磁場(chǎng)強(qiáng)度，傾斜角和翻滾角。航向精度：0.8゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）。翻滾精度：0.2゜（分辨率0.1゜）。傾斜范圍：±50゜。磁場(chǎng)測(cè)量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）。工作電壓：5VDC（Regulated）或6到18VDC（Unregulated）。尺 寸：6.5×5.1×1.4 cm 。工作溫度：-20 ℃到 +75 ℃ 。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +85 ℃ 。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）。采樣率： 20次/秒。低功耗：<20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）。帶硬磁補(bǔ)償 PNI電子羅盤模塊TCM2.6（三軸羅盤）： 。測(cè)量參數(shù)：航向，磁場(chǎng)強(qiáng)度，傾斜角和翻滾角。航向精度：0.8゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）。翻滾精度：0.2゜（分辨率0.1゜）。傾斜范圍：±50゜。磁場(chǎng)測(cè)量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）。工作電壓：3.6到5VDC（Unregulated）。尺 寸：3.5×4.3×1.3 cm 。工作溫度：-40 ℃到 +85 ℃ 。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +125 ℃ 。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）。采樣率： 20次/秒。低功耗：<20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）。帶硬磁補(bǔ)償 PNI電子羅盤模塊TCM3（三軸羅盤）： 。測(cè)量參數(shù)：航向，磁場(chǎng)強(qiáng)度，傾角和翻滾角。航向精度：0.5゜（當(dāng)傾斜小于70゜）；0.8゜（當(dāng)傾斜大于70゜），（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.05゜）。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.01゜，重復(fù)性0.05゜）。翻滾精度：0.2゜（當(dāng)傾斜小于65゜）；0.5゜（當(dāng)傾斜小于80゜）；1゜（當(dāng)傾斜小于86゜），（分辨率0.1゜）。傾斜范圍：±80゜。磁場(chǎng)測(cè)量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）。工作電壓：3.6到5VDC（Unregulated）。尺 寸：3.5×4.3×1.3 cm 。工作溫度：-40 ℃到 +85 ℃ 。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +125 ℃ 。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）。采樣率： 20次/秒。低功耗：<20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）。帶硬磁，軟磁和傾角補(bǔ)償 PNI電子羅盤模塊TCM5（三軸羅盤）： 。測(cè)量參數(shù)：航向，磁場(chǎng)強(qiáng)度，傾角和翻滾角。測(cè)量：航向360度，傾斜±90度，翻滾±180度。航向精度：0.3゜（當(dāng)傾斜小于70゜）；0.5゜（當(dāng)傾斜大于70゜），（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.05゜）。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.01゜，重復(fù)性0.05゜）。翻滾精度：0.2゜（當(dāng)傾斜小于65゜）；0.5゜（當(dāng)傾斜小于80゜）；1゜（當(dāng)傾斜小于86゜），（分辨率0.1゜）。傾斜范圍：±90゜；翻滾角：±180゜。磁場(chǎng)測(cè)量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）。工作電壓：3.6到5VDC（Unregulated）。尺 寸：3.5×4.3×1.3 cm 。工作溫度：-40 ℃到 +85 ℃ 。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +125 ℃ 。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）。采樣率： 20次/秒。低功耗：<20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）。帶硬磁，軟磁和傾角補(bǔ)償

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