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場(chǎng)效應(yīng)管 IRFP254 IXTR 30N25 DPH 30

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地上海市

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更新時(shí)間:2018-05-14 09:00:00瀏覽次數(shù):761次

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種類:結(jié)型(JFET)溝道類型:N溝道
導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型用途:AM/調(diào)幅
封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插材料:GaAS-FET砷化鎵
開啟電壓:0(V)夾斷電壓:0(V)
跨導(dǎo):0(μS)極間電容:0(pF)
低頻噪聲系數(shù):0(dB)zui大漏極電流:0(mA)
zui大耗散功率:0(mW)

N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(漏源電壓為250V,導(dǎo)通電阻為0.14Ω,漏電流為25A))

主要作用:

1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

場(chǎng)效應(yīng)管 的 型號(hào)命名
有兩種命名方法。

*種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。

第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。

場(chǎng)效應(yīng)管 的 參數(shù)符號(hào)
Cds---漏-源電容 Cdu---漏-襯底電容 Cgd---柵-源電容 Cgs---漏-源電容 Ciss---柵短路共源輸入電容 Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容 D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù)) di/dt---電流上升率(外電路參數(shù)) dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù)) ID---漏極電流(直流) IDM---漏極脈沖電流
ID(on)---通態(tài)漏極電流 IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管) IDS---漏源電流 IDSM---zui大漏源電流 IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流 IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
IG---柵極電流(直流) IGF---正向柵電流 IGR---反向柵電流 IGDO---源極開路時(shí),截止柵電流 IGSO---漏極開路時(shí),截止柵電流 IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流 IF---二極管正向電流 IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流 IDSS1---對(duì)管*管漏源飽和電流 IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流 Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù)) gfs---正向跨導(dǎo) Gp---功率增益 Gps---共源極中和高頻功率增益 GpG---共柵極中和高頻功率增益 GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導(dǎo) gds---漏源電導(dǎo) K---失調(diào)電壓溫度系數(shù) Ku---傳輸系數(shù) L---負(fù)載電感(外電路參數(shù)) LD---漏極電感
Ls---源極電感 rDS---漏源電阻 rDS(on)---漏源通態(tài)電阻 rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻 rGD---柵漏電阻 rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù)) RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù)) R(th)jc---結(jié)殼熱阻 R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻 PD---漏極耗散功率 PDM---漏極zui大允許耗散功率
PIN--輸入功率 POUT---輸出功率 PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù)) to(on)---開通延遲時(shí)間 td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間 ti---上升時(shí)間
ton---開通時(shí)間 toff---關(guān)斷時(shí)間 tf---下降時(shí)間 trr---反向恢復(fù)時(shí)間 Tj---結(jié)溫 Tjm---zui大允許結(jié)溫
Ta---環(huán)境溫度 Tc---管殼溫度 Tstg---貯成溫度 VDS---漏源電壓(直流) VGS---柵源電壓(直流) VGSF--正向柵源電壓(直流)
VGSR---反向柵源電壓(直流) VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) VGS(th)---開啟電壓或閥電壓 V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
V(BR)GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓 VDS(on)---漏源通態(tài)電壓 VDS(sat)---漏源飽和電壓 VGD---柵漏電壓(直流) Vsu---源襯底電壓(直流) VDu---漏襯底電壓(直流)
VGu---柵襯底電壓(直流) Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻 η---漏極效率(射頻功率管) Vn---噪聲電壓 aID---漏極電流溫度系數(shù) ards---漏

 

現(xiàn)有高校使用名稱如下:

南京林業(yè)大學(xué),浙江大學(xué)電子研究室,清華大學(xué)電子研究室。

具體技術(shù)咨詢工程師:

技術(shù):李

:

 

 

 

 

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