上海續(xù)波光電技術(shù)有限公司
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更新時間:2026-06-02 14:17:22瀏覽次數(shù):374次
聯(lián)系我時,請告知來自 儀表網(wǎng)化學(xué)束外延起源于上個世紀(jì)80年代,它結(jié)合了分子束外延(MBE)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),適用于生長III-V族半導(dǎo)體薄膜,也可以用于Si,SixGe1-x,FeSi2薄膜沉積,以及氧化物薄膜,包括但不限于LiTaO3,超導(dǎo)氧化物,TiO2,Al2O3,摻鉺Al2O3,Y2O3,CdO,HfO2,LiNbO3,MgO,ErSiO,ZnO,ZrO2等
化學(xué)束外延起源于上個世紀(jì)80年代,它結(jié)合了分子束外延(MBE)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),適用于生長III-V族半導(dǎo)體薄膜,也可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉積, 以及氧化物薄膜,包括但不限于LiTaO3, 超導(dǎo)氧化物, TiO2, Al2O3, 摻鉺Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。
化學(xué)束外延借用CVD(反應(yīng)前驅(qū)體分子通過氣相傳輸?shù)郊訜嵋r底上)及MBE(前驅(qū)體流分子束本質(zhì)——分子軌跡視線)的概念。一般說來,化學(xué)束外延的真正價值在過去并未得到承認(rèn),大多數(shù)熟悉這種技術(shù)的人都發(fā)現(xiàn)化學(xué)束外延很復(fù)雜,并且上世紀(jì)90年代化學(xué)束外延的各種優(yōu)勢的結(jié)合未被*挖掘,而這種結(jié)合卻是現(xiàn)在制造復(fù)雜設(shè)備的關(guān)鍵所在。目前,我們代理的設(shè)備是經(jīng)過20年的持續(xù)不斷研發(fā),將設(shè)簡單易用、工藝優(yōu)化、所有的優(yōu)點(diǎn)和設(shè)施集中于一套可靠的設(shè)備中。

實驗證明化學(xué)束外延具有顯著的優(yōu)點(diǎn),例如:
• 可控多元素材料沉積及摻雜,例如GaAsInP
• 6’’襯底均勻性:無旋轉(zhuǎn)+/-1.5%,旋轉(zhuǎn)+/-0.5% • 沉積大面積薄膜:直徑100mm - 450mm或更大
• 前驅(qū)體轉(zhuǎn)化率高,生長速率10 nm/h至20μm/h • 歐盟項目支撐: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM
• 已經(jīng)商業(yè)化薄膜: TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2 • 超高真空原位診斷技術(shù)、自組裝結(jié)構(gòu)、工藝溫度很低
• 可以一步實現(xiàn)復(fù)雜形狀和(成分/厚度)梯度薄膜材料 • 無氣相反應(yīng)、工藝靈活(從外延生長到高度多孔材料)
• (激光,EUV,X-ray)光束/離子束/電子束輔助沉積, 用于3D打印、復(fù)雜材料堆棧、
組織/晶相/成分選擇性調(diào)控、 改善外延和材料性能、降低熱應(yīng)力和晶格失配
設(shè)備配置:
1. 熱漆外框架容納所有元件,標(biāo)準(zhǔn)RAL7035顏色; 2. 支持多達(dá)6種前驅(qū)體,專有熱源技術(shù)可達(dá)200℃;
3. 主要反應(yīng)腔體采用可調(diào)熱內(nèi)壁,圓柱形液氮冷阱圍繞樣品臺;可遠(yuǎn)程控制,電腦監(jiān)控各種參數(shù);
4. 輻射加熱襯底溫度可達(dá)700℃,其他加熱器支持襯底溫度可達(dá)1400℃;
5. 真空系統(tǒng)用組合泵:250l/s分子泵+10m3/h干泵; 6. 配備全自動Load-Lock,等離子體清洗功能可選。
7. 在樣品生長過程中激光/電子/離子束輻照單元。
8. 可逆組裝:(無襯底旋轉(zhuǎn))均勻性優(yōu)于±2%,(有襯底旋轉(zhuǎn))均勻性優(yōu)于+/-0.5%;組合配置用以生長梯度樣品:
厚度梯度支持1個前驅(qū)體,化學(xué)成分梯度支持2-6個。兩種方式通過程序控制切換。

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主營產(chǎn)品:磁控濺射儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,離子減薄儀,微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(MPCVD),化學(xué)束外延系統(tǒng),電磁場場分布測試儀,等離子處理,刻蝕機(jī),光學(xué)軟件與材料(金剛石),HFCVD,BSDF/BRED測量儀,電磁場仿真軟件
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