上海續(xù)波光電技術(shù)有限公司
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更新時(shí)間:2026-06-02 14:41:29瀏覽次數(shù):522次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 儀表網(wǎng)高品質(zhì)大面積光學(xué)薄膜沉積系統(tǒng)1.主腔體:圓柱形304不銹鋼、長(zhǎng)方形前門、2個(gè)觀察窗口、大約1000L2.真空系統(tǒng):螺旋泵80m3/h+低溫泵10,000l/s(N2)3.離子源:RF耦合(2MHz),filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣束徑100mm
高品質(zhì)大面積光學(xué)薄膜沉積系統(tǒng)
1. 主腔體:圓柱形304不銹鋼、長(zhǎng)方形前門、2個(gè)觀察窗口、大約1000L
2. 真空系統(tǒng):螺旋泵80m3/h+低溫泵10,000 l/s (N2)
3. 離子源:RF耦合(2MHz), filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣
束徑100mm, 電流>200mA,電子能量1-2 KeV
工藝氣體:4個(gè)流量控制機(jī),用于氧氣、稀有氣體
Ar等離子體,電子束流500mA
3a. 離子源升級(jí):代替標(biāo)準(zhǔn)離子源(3)
RF耦合(2MHz), filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣
束徑150mm,電流大于500mA,電子能量大于1 KeV
工藝氣體:4個(gè)流量控制器,用于氧氣、稀有氣體等
Ar等離子體,電子束流900mA
3b. 輔助離子源:RF耦合(2MHz), filament-free離子源用于Ar和氧氣
工藝氣體:2個(gè)流量控制器,氧氣和稀有氣體
束徑100mm,離子能量200-1000 eV,束流0-200mA
4. 靶 400m×200mm (標(biāo)準(zhǔn)3);400mm×250mm(選項(xiàng)3a)
標(biāo)準(zhǔn)材料:Ta>99.998%,Si>99.999%
4a. 可選靶 200mm×200mm 或200mm×250mm
材料:Nb>99.95%, HfO2>99.99%, Al>99.999%, Ti>99.99%
更高純度或其他材料可以提要求
5 樣品臺(tái) 平面、真空兼容Al樣品臺(tái)
Bottom-up coating 法
沉積區(qū)域直徑200mm(標(biāo)準(zhǔn)3)、沉積區(qū)域直徑350mm(選項(xiàng)3a)
旋轉(zhuǎn)速度0-120rpm
5a. Load Lock可選
直徑400mm,加載重量5kg
螺旋泵+分子泵抽高真空
手動(dòng)加載,自動(dòng)送樣
5b. 襯底加熱可選
石英加熱器,最小功率1.6KW,襯底溫度280℃
采用熱電偶控溫
6. OMS 波長(zhǎng)范圍380-1050nm
波長(zhǎng)分辨率2nm
測(cè)量誤差補(bǔ)償<0.2%
測(cè)量誤差噪音<1%峰值(@650nm)
全自動(dòng)控制
積分時(shí)間:2ms
6a. DUV可選 DUV延長(zhǎng)寬波段OMS
波長(zhǎng)范圍230-380nm
波長(zhǎng)分辨率2nm
測(cè)量誤差補(bǔ)償<2%
測(cè)量誤差噪音<1%峰值(@350nm)
積分時(shí)間:10ms
6b. IR可選 波長(zhǎng)范圍900-1700nm
波長(zhǎng)分辨率5nm
測(cè)量誤差補(bǔ)償<2%
測(cè)量噪音<1%峰值(@1200nm)
積分時(shí)間:12ms
7 系統(tǒng)性能表現(xiàn):
真空度 基準(zhǔn)真空度<3×10-7mbar
工作氣壓<1×10-3mbar
標(biāo)準(zhǔn)靶 沉積速率0.15nm/s (Ta2O5, SiO2) @200mm直徑 (標(biāo)準(zhǔn)3)
沉積速率0.15nm/s (Ta2O5, SiO2) @350mm直徑(3a選項(xiàng))
薄膜均勻性 優(yōu)于±1%@<直徑200mm(標(biāo)準(zhǔn)3)
優(yōu)于±1%@<直徑350mm(選項(xiàng)3a)

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主營(yíng)產(chǎn)品:磁控濺射儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,離子減薄儀,微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(MPCVD),化學(xué)束外延系統(tǒng),電磁場(chǎng)場(chǎng)分布測(cè)試儀,等離子處理,刻蝕機(jī),光學(xué)軟件與材料(金剛石),HFCVD,BSDF/BRED測(cè)量?jī)x,電磁場(chǎng)仿真軟件
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