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FF200R12KS4

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產(chǎn)品型號(hào)FF200R12KS4

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廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

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更新時(shí)間：2017-02-17 06:37:55瀏覽次數(shù)：314次

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  英飛凌IGBT模塊

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深圳市邁瑞斯國(guó)際有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：經(jīng)銷商

商鋪產(chǎn)品：200條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：韋德（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

FF200R12KS4

簡(jiǎn)介

詳細(xì)介紹

FF200R12KS4

FF200R12KS4 簡(jiǎn)介

品牌：西門子（SIEMENS）、英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克（eupec）同屬于西門子及子公司

備注：*現(xiàn)貨

產(chǎn)地：德國(guó)

批號(hào)：2014年生產(chǎn)

類型：IGBT功率模塊/IGBT智能模塊

關(guān)于更多 PDF 參數(shù) datasheet 資料代理，現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)格歡迎。

專業(yè)功率IGBT模塊代理/批發(fā):.西門子、英飛凌、EUPEC、三菱、富士、東芝、三社、三墾、西門康、ST、IR,IXYS,日立等品牌，以及進(jìn)口變頻器PLC。

更多資料-現(xiàn)貨-歡迎查閱：

經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：

●功率模塊:

GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、整流橋

（電流25A-3600A）（600V/1200V/1700V/3300V6500V）；

●LEM/ Honeywell霍爾傳感器、電流傳感器、電壓傳感器；

●級(jí)器件：

多芯片模塊，模擬和混合信號(hào)邏輯芯片，數(shù)字光耦和模擬輸出光耦，光電耦合器，發(fā)光二極管；

●集成電路（IC）、二三極管、場(chǎng)效應(yīng)管；

●電阻電容：

FF300R12KT3

FF300R12KS4

FF300R12KE4

FF300R12KE3

FF200R17KE4

FF200R17KE3

FF200R12KT4

FF200R12KE3

BSM600GA120DLC

BSM50GAL120DN2

BSM400GA170DLC

BSM400GA120DN2

BSM400GA120DLC

BSM400G120DLC

BSM300GB120DLC

BSM300GAR120DLC

BSM300GAL120DLC

BSM300GA170DN2

BSM300GA170DLC

大制動(dòng)電阻、功率電阻、保護(hù)電阻、緩沖電阻以及貼片電阻；

鉭電容、鋁電容，電解電容、吸收電容、薄膜電容、西門子電容以及貼片電容；

經(jīng)營(yíng)品牌：

德/歐系：西門子（SIEMENS）、英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克（eupec）、西門康(SEMIKRON)、 ABB、萊姆（LEM)、愛普科斯(EPCOS)、

美系：國(guó)半（NS）、*整流器（IR）、美信（MAXIM）、安森美（ON）、意法半導(dǎo)體（ST）、德州儀器（TI) 、霍尼韋爾*（Honeywell）、仙童（FSC）、

日系：三菱(MITSUBISHI)、日立(HITACHI)、歐姆龍（OMRON）、TDK、紅寶石( Rubycon)；

韓系：三星（SAMSUNG）；

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。

igbt的應(yīng)用領(lǐng)域

在變頻調(diào)速器中的應(yīng)用【3】 spwm變頻調(diào)速系統(tǒng)的原理框圖如圖1所示。主回路為以igbt為開關(guān)元件的電壓源型spwm逆變器的標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)潆娐?，電容由一個(gè)整流電路進(jìn)行充電，控制回路產(chǎn)生的spwm信號(hào)經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)逆變器的輸出波形進(jìn)行控制;變頻器向異步電動(dòng)機(jī)輸出相應(yīng)頻率、幅值和相序的三相交流電壓，使之按一定的轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)方向運(yùn)轉(zhuǎn)。

關(guān)鍵詞：整流橋霍爾傳感器電壓傳感器光電耦合器

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