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REAL RTP200型快速退火爐

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更新時間：2026-06-05 14:15:10瀏覽次數(shù)：198次

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微納（香港）科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

REAL RTP200型快速退火爐

詳細(xì)介紹

? 產(chǎn)品簡介：
REAL RTP200型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制精確，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì)，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。

? 技術(shù)特色：

? 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

? 紅外鹵素管燈加熱

? 極其優(yōu)異的加熱溫度精確性與均勻性

? 快速數(shù)字PID溫度控制

? 不銹鋼冷壁真空腔室

? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

? 結(jié)構(gòu)緊湊，小型桌面系統(tǒng)

? 帶觸摸屏的PC控制

? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

? 3路氣體（MFC控制）

? 沒有交叉污染，沒有金屬污染

? 真實(shí)基底溫度測量技術(shù)介紹：

如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實(shí)的溫度，必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

REAL RTP200型快速退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進(jìn)行熱量傳遞，并很快達(dá)到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實(shí)的溫度，從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測量。

? 主要技術(shù)參數(shù)：

? 基片尺寸：8英寸

? 基片基座：石英針（可選配SiC涂層石墨基座）

? 溫度范圍：150-1250℃

? 加熱速率：10-150℃/S

? 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

? 溫度控制精度：≤ ±3℃

? 溫度重復(fù)性：≤ ±3℃

? 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

? 氣路供應(yīng)：標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（最多可選3路）

? 退火持續(xù)時間：≥35min@1250℃