HMDS 預(yù)處理系統(tǒng)的必要性：在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是至關(guān)重要的一個工藝環(huán)節(jié)，而涂膠工藝的好壞，直接影響到光刻的質(zhì)量。
在涂膠工藝中，所用到的光刻膠絕大多數(shù)是疏水的，而晶片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，如果在晶片表面直接涂膠的話，勢必會造成光刻膠和晶片的粘合性較差，甚至造成局部的間隙或氣泡，涂膠厚度和均勻性都受到了影響，從而影響了光刻效果和顯影。
為了解決這一問題，涂膠工藝中引入了一種化學制劑，即HMDS，它的英文全名叫Hexamethyldisilazane（HMDS），化學名稱叫六甲基二硅氮甲烷，把它涂到硅片表面后，通過加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主題的化合物，這實際上是一種表面活性劑，它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合，起到耦合的作用，再者，在顯影的過程中，由于它增強了光刻膠與基底的粘附力，從而有效地抑制刻蝕液進入掩模與基底的側(cè)向刻蝕。 最初，人們用液態(tài)的HMDS直接涂到晶片上，然后借著晶片的高速旋轉(zhuǎn)在晶片表面形成一層HMDS膜。這樣就階段性的解決了基片和光刻膠之間的結(jié)合問題，但隨著光刻線條的越來越細，膠的越來越薄，對粘附力提出了更高的要求，于是格萊尼爾公司帶領(lǐng)一批技術(shù)人員進行了深入的研究，研制出了現(xiàn)在的HMDS預(yù)處理系統(tǒng),并在2014年成功的投入各大高等院校研究機構(gòu)及各大企業(yè)。
六甲基二硅胺(HMDS)是黃光區(qū)最毒的東西，HMDS真空烘箱預(yù)處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內(nèi)真空度達到某一高真空度后，開始充入氮氣，充到達到某低真空度后，再次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設(shè)定的充入氮氣次數(shù)后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入通過氮氣的HMDS氣體，在到達設(shè)定時間后，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當達到設(shè)定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業(yè)過程。
HMDS與硅片反應(yīng)機理圈：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應(yīng)，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應(yīng)。
尾氣排放等：多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到專用廢氣收集管道。
相關(guān)問題：
1.HMDS是如何涂在硅片表面的？是像勻膠那樣甩涂嗎？另外，是在什么溫度下操作，需不需要在加熱硅片的同時涂覆，還是等去把硅片清洗完畢烘干冷卻后甩涂？
答：HMDS是氣相涂布在硅片表面，也就是硅片在HMDS的蒸汽中放置一會兒，溫度約100-180度即可
2.在涂光刻膠之前需要把涂有HMDS的硅片烘干冷卻后在涂光刻膠嗎？還是把涂有HMDS的硅片不烘干直接涂膠？
答：HMDS處理后需要冷卻后涂膠，但等待時間不能太長，過長處理效果會變差，建議4小時內(nèi)完成涂膠
3.在HMDS上面在滴光刻膠甩涂時，光刻膠內(nèi)的溶劑會不會又把HMDS層給破壞呢？
答：HMDS上面涂膠不影響HMDS的處理效果
4.在顯影過程中硅片表面的HMDS層如何去除掉才能使被刻蝕的硅表面露出？
答：HMDS本身是表面改性，HMDS本身不會涂在園片表面，因此不用擔心去除HMDS層格萊尼爾研發(fā)出了HMDS專用工業(yè)烤箱
產(chǎn)品品牌：格萊尼爾
產(chǎn)品名稱：真空烘箱
產(chǎn)品型號：GN-6210
控溫范圍：室溫+10℃-250℃
溫度分辨率：0.1℃
恒溫波動度：≤±0.5℃
達到真空度：133Pa
電源電壓：380V-50Hz
產(chǎn)品功率：3600W
工作室尺寸：560(W)*640(D)*600(H)mm
外部尺寸：720(W)*820(D)*1750(H)mm
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