詳細(xì)摘要： 簡要描述： SS2413是一個(gè)采用改進(jìn)型CMOS技術(shù)制造的鎖存型霍爾效應(yīng)傳感器IC。
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： SS2413是一個(gè)采用改進(jìn)型CMOS技術(shù)制造的鎖存型霍爾效應(yīng)傳感器IC。
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： SS2019是一個(gè)采用雙極晶體管技術(shù)制造的鎖存型霍爾效應(yīng)傳感器IC。
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： SS2309是一個(gè)采用CMOS技術(shù)制造的鎖存型霍爾效應(yīng)傳感器IC。
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： ES581，高靈敏度單極霍爾集成電路，3.5-24V
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： ES632，高靈敏度霍爾鎖存器，3.5-24V
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： SS400系列傳感器集成電路是小型通用數(shù)字霍爾效應(yīng)傳感器，由永磁體或者電磁體提供的磁場(chǎng)進(jìn)行操作，用于對(duì)交替的北磁極和南磁極做出響應(yīng)或只對(duì)南磁極做出響...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： ES1226，車規(guī)級(jí)高靈敏度霍爾鎖存器, 2.8-24V
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： HG106C適用于測(cè)量磁量、電量和非電量。磁測(cè)量有高斯計(jì)、弱磁場(chǎng)磁強(qiáng)計(jì)、霍爾羅盤等。
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： GaAs砷化鎵霍爾元件 HE72DX3U23
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： GaAs砷化鎵霍爾元件 HE71DY2U23
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb高靈敏度霍爾元件
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE44CD1B12
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE34CF1B12
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE34CE1B12
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE44CC1B12
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE34CD1B12
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE82AF1U12
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE82AE1U12
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE22AF1D12C
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詳細(xì)摘要： 簡要描述： InSb銻化銦霍爾元件 HE22AF1D12
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