霍爾離子源CDNY-07LZ
產(chǎn)品概述
用于真空鍍膜過(guò)程中基底離子轟擊清潔及沉積過(guò)程中離子轟擊能量輸送。
廣泛應(yīng)用于：增透膜、眼鏡鍍膜、光纖光學(xué)、高反鏡、熱/冷反光鏡、低漂移濾波器、帶通濾波器、在線清洗、類(lèi)金剛石沉積等。
能夠改善薄膜的生長(zhǎng)、優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)，增加鍍膜的一致性和重復(fù)性，低溫高速率鍍膜，清除工件表面水和碳?xì)浠衔?，增加薄膜密度，降低?nèi)應(yīng)力低，清除結(jié)合力弱的分子，反應(yīng)氣體活度增加，薄膜成分易于控制。
主要特點(diǎn)
結(jié)構(gòu)*
充分借鑒*的霍爾離子源的優(yōu)點(diǎn)，具有*的水冷和密封結(jié)構(gòu)，經(jīng)多次長(zhǎng)時(shí)間的實(shí)驗(yàn)證明，離子源能夠在很大的等離子體束流下長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。
可在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期可靠工作
在通常鍍膜工藝中，工件需加熱至很高溫度，整個(gè)真空室內(nèi)溫度很高，而本離子源良好的冷卻系統(tǒng)能保證離子源在 300℃的高溫環(huán)境下長(zhǎng)期正常工作。
等離子體束流大
為避免基片損傷，需要采用低能量大束流的等離子體進(jìn)行輔助鍍膜。以往國(guó)內(nèi)采用的多因束流小(<1.)而很難達(dá)到理想的效果。本公司在大功率霍耳等離子體源的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)上取得突破性的進(jìn)展，制造出大束流下(>4A)長(zhǎng)期穩(wěn)定工作的等離子體源。
空間均勻性強(qiáng)
由于*的磁路和放電區(qū)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，在以離子源軸線為中心 20度的圓錐內(nèi)等離子態(tài)的強(qiáng)度均勻性可保持在 ± 20%以內(nèi)。
*適用于反應(yīng)氣體
在離子束輔助反應(yīng)沉積鍍膜過(guò)程中，通常需要用氧氣或氮?dú)獾扰c蒸發(fā)的膜料進(jìn)行反應(yīng)沉積所需薄膜，在此過(guò)程中增加反應(yīng)氣體的活性和能量，對(duì)形成高質(zhì)量薄膜至關(guān)重要。 本等離子體源可以在*通入反應(yīng)氣體將其離化的條件下不出現(xiàn)中毒現(xiàn)象而正常工作。
安裝簡(jiǎn)便、維護(hù)簡(jiǎn)單運(yùn)行成本低
本離子源的安裝非常簡(jiǎn)單，耗材只是燈絲，日常維護(hù)工作主要是更換燈絲。
操作簡(jiǎn)單
離子源的操作簡(jiǎn)單，通過(guò)調(diào)節(jié)離子源的放電電流以及燈絲電流即可使離子源穩(wěn)定工作?？刂泼姘迳夏苤苯佑^察到燈絲和陽(yáng)極的電壓、電流。
主要性能指標(biāo)
陽(yáng)極電壓 | DC 50-300V | 陽(yáng)極zui大允許電流 | 10A |
陽(yáng)極電流范圍 | 3-10A | zui大離子束流 | 3.3A |
燈絲電流 | 18-40A | 氣體流量 | 20-100Sccm(氧) |
外形尺寸(mm) | Φ153×254(H) | 電源尺寸(mm) | 480(W)×240(H)×600(D) |
面板尺寸(mm) | 480(W)×133(H) | 安裝開(kāi)孔 | 3個(gè)直徑略大于33mm的通孔 |
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