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金時速發(fā)布---LT-2型單晶少子壽命測試儀

閱讀:106發(fā)布時間:2016-3-2

LT-2型單晶少子壽命測試儀

 

 LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計,由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。

 

技 術(shù) 指 標(biāo) :

 測試單晶電阻率范圍

 >2Ω.cm

 可測單晶少子壽命范圍

 5μS~7000μS

 配備光源類型

 波長:1.09μm;余輝<1   μS;
   閃光頻率為:20~30次/秒;
   閃光頻率為:20~30次/秒;

 高頻振蕩源

 用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz

 前置放大器

 放大倍數(shù)約25,頻寬2   Hz-1 MHz

 儀器測量重復(fù)誤差

 <±20%

 測量方式

 采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式

 儀器消耗功率

 <25W

 儀器工作條件

 溫度: 10-35℃、 濕度   < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz

 可測單晶尺寸

 斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
   縱向臥測:φ25mm—150mm; L   50mm—800mm;

 配用示波器

 頻寬0—20MHz;
   電壓靈敏:10mV/cm;

   

 


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