智能化介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)廠家報價介紹：

本智能化介質(zhì)損耗測試儀是一種*的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx），它淘汰了 QS 高壓電橋。具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓、抗*力強、測試時間在國內(nèi)同類產(chǎn)品中速度快，體積小、重量輕等特點。

智能化介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)廠家報價工作原理：
本智能化介質(zhì)損耗測試儀測量線路包括一路標準回路和一路測試回路，如圖三所示。
標準回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標準電容器與標準電阻網(wǎng)絡(luò)組成，由計算機實時采集標準回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差，并由之算出被測試品的電容容值（Cx）和其介質(zhì)損耗（tg）。
數(shù)據(jù)采集電路全部采用高穩(wěn)定度器件，采集板和采集計算機被鐵盒*浮空，儀器的外殼接地；另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù)，加之計算機對數(shù)百個電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進行處理，故測量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。
由圖三可見，儀器高壓變壓器的高壓側(cè)和測量線路都是浮地的，用戶可根據(jù)不同的測量對象和測量需要，靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法"進行測量時，可將“Ｅ"點接地；而當采用“反接線法"進行測量時，可將“UH"點接地，而將E點浮空。
圖中除測試品Cx外，其余為本儀器。細線框內(nèi)部分對儀器外殼能承受１5ＫＶ工頻高壓５分鐘，額定耐壓１0ＫＶ。儀器內(nèi)附標準電容ＣＮ，名義值為５0ＰＦ，tgδ≤０.0001，耐壓１0ＫＶ。高壓變壓器，額定輸出功率為1ＫＶＡ。
★“Ｅ"點為儀器的內(nèi)與測量電纜的層相連，不是大地，與儀器的外殼也不連通！

注意事項：
１．使用時必須將儀器的接地端子可靠的接地。
２．只有關(guān)閉儀器電源，試驗電壓選擇開關(guān)置于“關(guān)"位置時，接觸儀器的后部及其測 量線纜與被試品才被認為是安全的。
３．儀器在測量時，嚴禁操作“試驗電壓"選擇開關(guān)。
４．★正接線法ＵＨ端為高電壓，反接線法ＩＸ端為高電壓，使用時必須根據(jù)實際情 況，將帶高壓的線纜與地保持足夠的距離。
5．不得更換不符合面板指示值的保險絲管，內(nèi)部一只保險絲為：0.５Ａ
６．使用時盡可能用廠家隨儀器提供的線纜以確保測量準確度。

智能化介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)廠家特點：

◆具有多種測量方式,可選擇正/反接線、內(nèi)外標準電容器、CVT測量(無需外接升壓器，儀器內(nèi)自帶電源)、內(nèi)/外試驗電壓進行測量?？蒀1/C2同時測量。

◆測量精確、重復(fù)性好:儀器具有很高有測試進度，介損測試的基本誤差小于0.0005并且測試數(shù)據(jù)重復(fù)性*。

◆高壓短路和突然斷電時，食品能迅速切斷高壓，并發(fā)出警告信息。

◆高壓輸出插痤，無外露，安全可靠

◆高壓絕緣導(dǎo)線:高壓導(dǎo)線的絕緣程度不僅涉及到安全性，而且其對地泄漏直接影響到反接測試的準確度。本儀器高壓輸出導(dǎo)線采用特殊材料專門制作，能直接拖地使用。10KV輸出時，對地?zé)o放電、無泄漏、無聲響。

◆大屏幕中文提示操作，RS232微機接口。儀器自帶打印機，及時打印測試數(shù)據(jù)。

◆抗能性能儀器采用*抗震設(shè)計，可耐震，不損壞。◆攜帶方便:該儀器體積約為同類產(chǎn)品的70%，攜帶十分方便。

技術(shù)指標：

1、環(huán)境溫度:-5 ~40℃(液晶屏應(yīng)避免長時日照)

2、相對濕度:30%~70%

3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz

4、外形尺寸:長×寬×高 500mm×300mm×400mm

5、重量:約18Kg

6、輸出功率:0.6KVA

7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位)

8、測量范圍及輸出電壓選擇:

◇介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999%

◇試品電容容量(Cx)和加載電壓:

2.5KV檔:≤300nF(300000pF) 3KV檔:≤200nF(200000pF)

5KV檔:≤76nF(76000pF) 7.5KV檔:≤34nF(34000pF)

10KV檔:≤20nF(20000pF)

9、基本測量誤差:

◇介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個字(加載電流20uA~500mA)

◇介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個字(加載電流5uA~20uA)

◇電容容量(Cx):1.5%±1.5pF