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超低能鍺探測(cè)器特征

• 光譜從 300 eV 到 300 keV

• 與硅（Li）和SDD相比效率高

• 出色的分辨率，高達(dá)非常高的計(jì)數(shù)率

• 高峰值/背景比

超低能鍺探測(cè)器描述

Mirion Ultra-LEGe探測(cè)器將Ge探測(cè)器的性能范圍擴(kuò)展到幾百電子伏特，提供曾經(jīng)被認(rèn)為半導(dǎo)體探測(cè)器無(wú)法實(shí)現(xiàn)的分辨率和峰背景比。Ultra-LEGe保留了鍺探測(cè)器固有的高能效，因?yàn)樵有驍?shù)（Z）很高，厚度相對(duì)較高（5-10毫米），因此涵蓋了極寬的能量范圍。下圖2中的圖表將5 mm厚鍺探測(cè)器的X射線光譜高能側(cè)的效率與典型的硅基探測(cè)器進(jìn)行了比較。

傳統(tǒng)的Ge探測(cè)器，包括那些專門為低能量制造的探測(cè)器，在低于3 keV時(shí)，峰值形狀和效率都很差。這種特性一度被認(rèn)為是Ge的基礎(chǔ)，因此禁止在大多數(shù)分析X射線應(yīng)用中使用Ge探測(cè)器。Mirion開(kāi)發(fā)了探測(cè)器制造技術(shù)，消除了這些問(wèn)題。由此產(chǎn)生的探測(cè)器，Ultra-LEGe單元，提供鍺的固有效率和分辨率優(yōu)勢(shì)，而沒(méi)有傳統(tǒng)鍺探測(cè)器的缺點(diǎn)。

超低能鍺探測(cè)器應(yīng)用

• 6R?

• XAS （XAFS， EXAFS， XANES）

• X射線光譜

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