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碳化硅生長爐測溫、單晶爐測溫、氧化擴散爐測溫、真空爐測溫

閱讀:42發(fā)布時間:2026-1-9

西安固泰傳感器紅外測溫儀可以在以下設備中配套測溫使用,比如碳化硅生長爐測溫、單晶爐測溫、氧化擴散爐測溫、真空爐測溫;MOCVD金屬有機化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition)是在基板上生長半導體薄膜。

PECVD等離子增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等離子體增強化學的氣相沉積。

CVD化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)是指高溫下的氣相反應。等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)/高密度等離子體化學氣相淀積(HDP CVD) /微波等離子化學氣相沉積(MPCVD) /微波電子回旋共振等離子體化學氣相沉積(ECR-MPCVD)/超高真空化學氣相沉積(UHV/CVD) /熱化學氣相沉積(TCVD) /高溫化學氣相沉積(HTCVD) /金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)/激光誘導化學氣相沉積(LCVD)等。

PVD物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子,或部分電離成離子,并通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的方法,物理氣相沉積是主要的表面處理之一。物理氣相沉積可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。

ALD原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。以上工況的測溫具體選型歡迎聯(lián)系我們。


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