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四方光電(武漢)儀器有限公司

從“全覆蓋”到“高可靠”,四方儀器篤行半導體核心部件國產化之路

時間:2026-9-1 閱讀:253
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在國內集成電路產業(yè)加速向生態(tài)化、自主化邁進的關鍵階段,第十四屆半導體設備材料及核心部件展(CSEAC 2026)近日在無錫隆重舉辦。展會立足設備-材料-核心部件全鏈條,搭建起技術交流、供需對接、成果展示的重要平臺,集中呈現(xiàn)國產半導體上游產業(yè)鏈的最新突破與實踐成果。

一、行業(yè)高景氣爆發(fā),國產替代進入黃金兌現(xiàn)期

2026年以來,全球半導體產業(yè)鏈傳來密集漲價與擴產信號。AI 算力爆發(fā)疊加全球數(shù)字化轉型浪潮,驅動全球半導體產業(yè)迎來歷史性增長機遇,行業(yè)市場規(guī)模將于 2026 年底突破 1 萬億美元,較預期提前四年邁入萬億規(guī)模。在算力需求增加與國內供應鏈自主可控的雙重驅動下,行業(yè)正加速供應鏈的全面國產化,未來國產化份額有望進一步擴大。

國家 “十五五” 規(guī)劃將半導體確立為戰(zhàn)略支柱產業(yè),千億級國家大基金三期重點投向半導體設備與核心零部件。國內半導體國產化進程迎來關鍵轉型:從過去單一產品、單一企業(yè)、單一環(huán)節(jié)的單點突破,升級覆蓋設計、制造、封測、設備、材料、EDA 工具全賽道的全鏈條自主滲透,供應鏈自主可控成為行業(yè)發(fā)展核心主線。

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二、三大剛性痛點凸顯,半導體行業(yè)核心部件國產化迫在眉睫

伴隨國內晶圓廠大規(guī)模擴產、智能制造全面落地、芯片制程持續(xù)向 3nm/2nm 先進節(jié)點迭代,晶圓制造、半導體設備原廠、外延封裝企業(yè)面臨供應鏈安全、數(shù)字化適配、工藝良率提升三大核心剛需,也是制約行業(yè)發(fā)展的核心痛點。

(1) 供應鏈自主可控

海外管控持續(xù)收緊帶來多重經營風險:進口設備交付周期長達1-2年、采購價格逐年上漲、售后響應遲緩、備件采購周期漫長;行業(yè)迫切需要自主研發(fā)、可批量替換進口的國產化精密監(jiān)測設備,筑牢本土供應鏈安全屏障,保障產線長期穩(wěn)定可靠運行。

(2) 數(shù)字化升級剛需

當前國內晶圓工廠加速布局數(shù)字化、智能化產線,MES、EAP等智能工廠管理系統(tǒng)全面普及。但進口監(jiān)測設備通訊協(xié)議封閉、數(shù)據(jù)接口不通用,難以適配國產工業(yè)軟件生態(tài),無法實現(xiàn)設備數(shù)據(jù)實時上傳、機臺聯(lián)動、自動化智能管控。

(3) 工藝提質剛需

隨著芯片制程推進至3nm、2nm及以下節(jié)點,芯片內部電路結構復雜度成指數(shù)級提升,生產精度要求高。氣體監(jiān)測設備作為貫穿全流程的“工藝之眼”,既是保障芯片良率的核心防線,也是工藝迭代、生產效率提升的核心部件支撐。

三、 四方儀器國產化氣體監(jiān)測方案,覆蓋半導體核心工藝需求

四方儀器依托 紅外(NDIR)、激光(TDLAS)、氧化鋯等多種傳感器技術平臺,精準匹配半導體行業(yè)三大核心工藝氣體監(jiān)測剛需,產品全棧自研,在行業(yè)頭部客戶的實際驗證中,產品性能穩(wěn)定且數(shù)據(jù)對標進口設備。四方儀器四大產品矩陣完整覆蓋氣體供應系統(tǒng)、工藝真空腔室、廠務潔凈環(huán)境三大應用場景。

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(1)CVD 腔室清洗終點檢測方案:精準控時降耗,助力工藝優(yōu)化

PECVD、LPCVD、ALD 等薄膜沉積工藝會在腔壁、電極堆積硅化物、金屬、聚合物副產物,若清洗不充分易產生顆粒缺陷、薄膜均勻度失效。四方儀器自研 NDIR 紅外氣體傳感器,可在線實時精準監(jiān)測 WF6、SiF4、CF4、SF6、NF3、CO2等腔室氣體濃度,根據(jù)腔內殘余氣體濃度變化自動輸出清洗終止信號,替代傳統(tǒng)定時清洗方案??煽s短 20%-40% 清洗時長,大幅削減特氣消耗,顯著提升機臺稼動率與晶圓產能,適配原位清洗、RPSC 清洗全場景。

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(2)MOCVD前驅體氣體監(jiān)測方案:精準管控外延工藝,提升產品良率

MOCVD 是氮化鎵等第三代半導體材料制備的核心工藝,前驅體氣體(TMGa、DEZn、TMIn、TEGa 等)濃度穩(wěn)定性直接決定外延片生長質量與工藝重復性。本方案搭載四方儀器紅外氣體傳感器(NDIR),在氣體進入腔體前實時監(jiān)測前驅體濃度,可快速識別鼓泡系統(tǒng)溫度、壓力異常,聯(lián)動控制系統(tǒng)及時調整氣體配比、暫停異常工藝,規(guī)避外延生長缺陷,保障產品工藝一致性。

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(3) 微量氧監(jiān)控方案:隔絕氧化雜質,守住超高純工藝底線

在半導體制造過程中,微量氧氣(低至ppm級)污染也會引發(fā)不必要的氧化反應,導致集成電路和硅片產生缺陷,進而破壞薄膜結構的完整性,嚴重影響產品的質量。針對半導體、電子制造行業(yè)不斷升級的微量氧氣檢測需求,四方儀器自主研發(fā)的Gasboard-3050 系列氧分析儀,適配不同精度和安裝要求。

  • 微量氧分析儀Gasboard-3052

Gasboard-3052基于氧化鋯技術,針對真空環(huán)境下的微量氧測量進行專門設計,可直接安裝于真空腔體,實現(xiàn)低壓力環(huán)境中的原位氧含量監(jiān)測。產品兼具ppm級微量氧檢測、高響應速度、緊湊型結構、便于集成等特點,適用于EFEM、晶圓轉運腔、真空爐及真空封裝等設備,為腔體殘氧、泄漏及工藝氣氛狀態(tài)提供實時監(jiān)測方案。

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微量氧分析儀Gasboard-3052( 原位探頭式)

  • 氧分析儀Gasboard-3053

Gasboard-3053是一款高性能抽取式氧分析儀,采用氧化鋯技術,將取樣、流量控制、氧濃度檢測、顯示及信號輸出集成于完整儀表中。產品具有測量穩(wěn)定、操作方便、安裝靈活等特點,適用于RTP、擴散/退火爐及高純惰性氣氛等場景中的在線微量氧監(jiān)測。

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微量氧分析儀Gasboard-3053 ( 抽取集成式)

(4)潔凈室粒子在線監(jiān)測方案:全域塵埃管控,規(guī)避顆粒短路報廢

半導體制造工藝流程復雜,微米級制程里空氣中的粉塵微粒極易附著在晶圓表面形成致命缺陷,造成器件失效。四方儀器OPC-6510DS 在線塵埃粒子計數(shù)器依托光學散射檢測原理,搭載大流量標準采樣通道,可同步檢測 0.3-10μm關鍵粒徑顆粒物,性能指標滿足相關潔凈室行業(yè)規(guī)范。該設備可布置在光刻、薄膜鍍膜、車間通風管道等關鍵潔凈區(qū)域,支持全天候連續(xù)在線監(jiān)測,一旦粉塵濃度超標即自動報警并聯(lián)動管控系統(tǒng),有效杜絕顆粒物污染造成的芯片短路、報廢等生產損失。

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四、四大核心差異化優(yōu)勢,打造半導體行業(yè)核心部件的國產替代方案

四方儀器專注于半導體核心零部件的研發(fā)與制造,實現(xiàn)全部核心器件的自研自產,供應鏈自主可控,是國內頭部半導體設備廠商部件類戰(zhàn)略合作伙伴。公司在工藝光譜分析、氣體濃度檢測、顆粒物在線監(jiān)測等核心技術領域,具有完整的產品矩陣,深度參與半導體設備關鍵工藝流程。產品應用場景覆蓋芯片制造全工序,包含刻蝕去膠、薄膜沉積外延、熱處理、腔室清洗等半導體行業(yè)核心工藝環(huán)節(jié)。

 

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未來,公司將持續(xù)深耕半導體核心零部件領域,助力推動該領域的國產化進程,為中國半導體產業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展注入技術力量。

 

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