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InGaAs APD雪崩光電探測器返回列表頁

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更新時間：2025-12-04 07:57:49瀏覽次數(shù)：74次

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光電探測器

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產(chǎn)品簡介

高速硅光電探測器特點：高速率低暗電流平面正照結(jié)構(gòu)

詳情介紹

高速硅光電探測器

   特點：
       高速率
       低暗電流
       平面正照結(jié)構(gòu),進口芯片
    應用：
       測距
       物理化學過程的快速光信號探測
       用于主波取錄、YAG 光脈沖測量及光纖通信的光探測
    光電特性(T = 22℃)：

參數(shù)	符號	典型值	測試條件
光譜響應范圍（nm）	λ	400~1100
光敏面直徑(um)		Φ230 Φ500
響應度（A/W）	Re	60	900nm
工作電壓（V）	vR	120	f=1MHz,
擊穿電壓（V）	vBR	140	Ir=10uA,
暗電流（nA）	ID	5
總電容（pF）	Cj	0.8	f=1MHz
響應時間（ns）	tr	0.7