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THz晶體,太赫茲晶體-激光器件

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上海尖豐光電技術(shù)有限公司

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產(chǎn)品簡介

關(guān)于德國Moltech公司：

詳細(xì)介紹

THz晶體MolTech(THz crystals)

品牌: 德國MolTech

關(guān)于德國Moltech公司：

德國Moltech公司位于柏林，專注于激光材料，激光介質(zhì)，激光晶體，太赫茲晶體，法拉第隔離器的研發(fā)制作。Moltech公司的THz晶體廣泛為中國的客戶使用和好評(píng)。

一、ZnGeP2晶體

特點(diǎn)和應(yīng)用
ZnGeP2(磷鎵銀)單晶有著大的光學(xué)非線性系數(shù)和*的激光損傷閾值，是用于中紅外和太赫茲波段非常高效的非線性光學(xué)材料。ZGP晶體具有正雙折射效應(yīng)，因此它可以用于0.75-12μm波長范圍的相位匹配頻率轉(zhuǎn)換?？梢詫?.06mm光與CO2激光混合，實(shí)現(xiàn)到近紅外波段的上轉(zhuǎn)換。

THz晶體

透過范圍(μm)	0.75 – 12.0
點(diǎn)群	42m
密度(g/cm3)	4.12
摩氏硬度	5.5
反射系數(shù)
2.00 μm	no = 3.1490; ne = 3.1889
4.00 μm	no = 3.1223; ne = 3.1608
6.00 μm	no = 3.1101; ne = 3.1480
8.00 μm	no = 3.0961; ne = 3.1350
10.00 μm	no = 3.0788; ne = 3.1183
12.00 μm	no = 3.0552; ne = 3.0949
非線性系數(shù)(pm/V)	d36 = 68.9(10.6μm處),d36 = 75.0(9.6μm處)
損傷閾值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)
損傷閾值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)

二、GaSe晶體

THz晶體

特點(diǎn)和應(yīng)用：

GaSe（硒化鎵）具有非線性系數(shù)大，損傷閾值高和透過范圍寬三重優(yōu)勢，是一種非常適合作中紅外光二次諧波的非線性光學(xué)單晶。

GaSe可以用于CO2激光器的倍頻，上轉(zhuǎn)換CO和CO2激光射線到可見范圍。

GaSe還可以用于太赫茲射線的產(chǎn)生

典型參數(shù)：

透過范圍(μm)	0.62 – 20
點(diǎn)群	6m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格參數(shù)	a = 3.74, c = 15.89 ?
摩氏硬度	2
反射系數(shù)
5.3 μm 處	no= 2.7233, ne= 2.3966
10.6 μm 處	no= 2.6975, ne= 2.3745
非線性系數(shù)(pm/V)	d22 = 54
離散角	4.1°(5.3 μm)
損傷閾值(MW/cm2)	28 (9.3 μm, 150 ns); 0.5 (10.6 μm, in CW mode); 30 (1.064 μm, 10 ns)

三、AgGaS2 ( AGS)晶體

AGS (硫鎵銀) 對(duì)于紅外射線來講,是一種非常高效的倍頻晶體,尤其是10.6μm的CO2激光器, 雖然其非線性系數(shù)很低,但是它在550nm附近非常高的短波透過率在YAG泵浦的OPO有廣泛應(yīng)用,還可應(yīng)用于中紅外波段的混頻系統(tǒng)波長范圍從4.0到18.3 μm, 通過差頻實(shí)現(xiàn)紅外波段光輸出。

透過范圍(μm)	0.47 - 13
點(diǎn)群	4m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格參數(shù)	a = 5.757, c = 10.311 ?
摩氏硬度	3.0 - 3.5
反射系數(shù)
5.3 μm	no = 2.4521; ne = 2.3990
3.0 μm	no = 2.4080; ne = 2.3545
5.3 μm	no = 2.3945; ne = 2.3408
10.6 μm	no = 2.3472; ne = 2.2934
12 μm	no = 2.3266; ne = 2.2716
10.6 μm 處	no= 2.6975, ne= 2.3745
非線性系數(shù)(pm/V)	d36 = 12.5
離散角	0.76° at 5.3 μm

四、KTiOPO4(KTP)晶體

KTP（磷酸鈦氧鉀）是一種優(yōu)質(zhì)的非線性晶體，它光學(xué)質(zhì)量高，透過范圍寬，二次諧波轉(zhuǎn)換效率是KDP的三倍以上，損傷閾值高，離散角小。KTP是倍頻Nd：YAG激光器及其它摻釹激光器合適也是應(yīng)用泛的晶體。

應(yīng)用：

l 1.064μm光的二倍頻發(fā)生器

l 近紅外波段的光參振蕩器

l 近紅外波段的差頻發(fā)生器

五、THz晶體-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn

產(chǎn)品介紹：其中GaP(磷化鎵)有一個(gè)能發(fā)出可見光的能代間隙,只不過它是間接能帶半導(dǎo)體。當(dāng)它同GaAs結(jié)合形成GaAs1-xPx合金時(shí),就便成了既直接又具有發(fā)光能帶間隙的物質(zhì)了。GaP還可用于制作發(fā)光二極管，它能夠發(fā)出綠光。

InP(磷化銦)主要應(yīng)用于光纖通訊設(shè)備,尤其是半絕緣的InP晶片很可能成為光電二極管的主流產(chǎn)品,應(yīng)用于高速通訊設(shè)備，其傳輸速度能達(dá)到40Gbps。InP還有望用于對(duì)傳輸速度要求更高的下一中。

參數(shù)：

材料	InP	InSb	InP: Fe	InP:Zn	GaP	GaAs:Te	GaAs:Zn	GaAs 多晶
阻抗, om.cm	0.03 - 0.2	-	1x10⁶- 2x10⁷	-	-	-	-	-
直徑	-	-	1,011 - 1,2511	1,011 - 1,2511	-	12,511	1,511	-
軸向	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	-100	-	-
載流子濃度, cm^-3	(0.8 - 2.0) x 10¹⁵	(8 - 30) x 10¹³	-	(0.2 - 1.0) x 10¹⁸	(4 - 6) x 10¹⁶	2 x 10¹⁷	1.0 x 10¹⁹	2 x 10¹⁵
靈敏度, cm²/V.Sec	3500 - 4000	-	-	50 -70	-	4500	-	5200
生長技術(shù)	-	可參雜	-	-	可參雜	-	Cz	Bridjman

六、THz晶體-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS

介紹：第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均為寬帶半導(dǎo)體。其中ZnTe,ZnS可利用全固態(tài)可調(diào)諧雙波長光源在非線性晶體中二階光學(xué)混頻方法產(chǎn)生太赫茲光。CdxZn1-xTe(CZT/碲鋅鎘)半導(dǎo)體單晶是發(fā)展遠(yuǎn)紅外,可見光,X-射線探測器,γ射線探測器的重要材料。CZT射線探測器具有吸收系數(shù)大，結(jié)構(gòu)緊湊，室溫操作等優(yōu)點(diǎn)。而現(xiàn)在工業(yè)和醫(yī)療方面產(chǎn)用的高純Ge和Si的探測器，只能工作在液氮溫度下。CZT已經(jīng)成為硬X射線和γ射線的一種關(guān)鍵技術(shù)。天文學(xué)方面用CZT陣列去研究宇宙中的高能γ射線源。

材料

ZnS

CdS

ZnSe

Zn_xCd1_-xS

CdS

CdSe

CdS_xSe_1-x

CdTe

CdZnTe

ZnTe

生成方法

垂直布里奇曼生長法

PVT

melt

PVT

晶種氣相法

直徑，mm

厚度，mm

光學(xué)吸收at 10,6
nm, cm^-1

< 0.15

< 0.007

<0.0015

<0.005

0.01

5-10
x10-4

< 0.01

阻抗, Ohm x cm

105

5-50x10⁹

> 10⁵

1x10⁶

發(fā)光強(qiáng)度比，IEx/Iedge
(Iimp)

> 10

位錯(cuò)密度, cm^-2

< 2 x10⁵

< 5 x10⁵

2 x10⁵

< 2 x10⁵

< 2 x10⁴

5 x10⁴

1x 10⁴

小角邊界密度, cm^-1

< 40

< 20

< 10

發(fā)光光譜的激發(fā)帶波長, nm

490 ± 2

690 ± 2

444
± 2

475 ± 5

490
± 2

690
± 2

510 ± 5,
535 ± 10,
560 ± 10,
600 ± 5,
615
+5/-15,
505 ± 5,
625 ± 5

七、碲化鋅晶體（ZnTe）

尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各個(gè)尺寸

晶向：110

表面處理：拋光、鍍膜、非鍍膜

應(yīng)用：THz探測、THz產(chǎn)生

主要型號(hào)及尺寸列表:

<110>Orientation SIZE
5 x 5 x 0.2 mm	10 x 10 x 0.2 mm		15 x 15 x 1 mm		20 x 20 x 0.5 mm
5 x 5 x 0.5 mm	10 x 10 x 0.5 mm		15 x 15 x 2 mm		20 x 20 x 0.8 mm
5 x 5 x 1mm	10 x 10 x 1 mm		15 x 15 x 3 mm		20 x 20 x 1 mm
5 x 5 x 2 mm	10 x 10 x 1.5 mm		15 x 15 x 4 mm		20 x 20 x 2 mm
5 x 5 x 3 mm	10 x 10 x 2 mm		15 x 15 x 5 mm
5 x 5 x 4 mm	10 x 10 x 3 mm
5 x 5 x 5 mm	10 x 10 x 4 mm
	10 x 10 x 5 mm
CHIPS - Are normally based upon ZnTe <100> Substrate @ 0.5 - 1 mm thickness onto which is optically glued ZnTe <110> top wafer.
<110> Front Face SIZE RANGE
<110> 300 - 500 um		<110> 100 - 200 um		<110> 40 - 90 um		<110> 20 um
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm
<110> 10 um
5 x 5 mm
10 x 10 mm
Plano – Wedged SIZE RANGE
<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge
with 0.5 - 1.0 mm <100> substrate		with 2mm <100> substrate		with 4mm <100> substrate		with 6mm <100> substrate
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm