北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司
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更新時間：2025-12-14 08:31:39瀏覽次數(shù)：62次
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BMJD-400薄膜變溫低溫介電測量系統(tǒng) BMJD-400薄膜變溫低溫介電測量系統(tǒng) 關(guān)鍵詞：低溫，薄膜介電，真空 BMJD-400薄膜低溫介電測量系統(tǒng)低溫介電測量系統(tǒng)是一款科變溫測試設(shè)備，應用于低溫環(huán)境下材料、器件的導電、介電特性測量與分析，通過配置不同的測試設(shè)備，完成不同參數(shù)的測試
| BMJD-400薄膜變溫低溫介電測量系統(tǒng) BMJD-400薄膜變溫低溫介電測量系統(tǒng) 關(guān)鍵詞：低溫，薄膜介電，真空 BMJD-400薄膜低溫介電測量系統(tǒng)低溫介電測量系統(tǒng)是一款科變溫測試設(shè)備，應用于低溫環(huán)境下材料、器件的導電、介電特性測量與分析，通過配置不同的測試設(shè)備，完成不同參數(shù)的測試。廣泛應用于陶瓷、薄膜、半導體、食品、生物、制藥及其它固體材料的阻抗與介電性能測量。 一、主要用途： 1、測量以下參數(shù)隨溫度（T）、頻率（f）、電平（V）、偏壓（Vi）的變化規(guī)律： 2、測量電容（C）、電感（L）、電阻（R）、電抗（X）、阻抗（Z）、相位角（￠）、電導（G）、電納（B）、導納（Y）、損耗因子（D）、品質(zhì)因素（Q）等參數(shù)， 3、同時計算獲得反應材料導電、介電性能的復介電常數(shù)（εr）和介質(zhì)損耗（D）參數(shù)。 4、可測試低溫環(huán)境下材料、器件的介電性能 5、可以根據(jù)用戶需求，定制開發(fā)居里溫度點Tc、機電耦合系數(shù)Kp、機械品質(zhì)因素Qm及磁導率μ等參數(shù)的測量與分析。系統(tǒng)集低溫環(huán)境、溫度控制、樣品安裝于一體；具有體積小、操作簡單控溫精度高等特點。 二、主要技術(shù)參數(shù)： 1、薄膜樣品尺寸：0-25MM 2、塊體樣品尺寸：0-25MM 3、樣品環(huán)境：真空 4、氣氛環(huán)境：液氮 5、變溫環(huán)境：-200。C-400。C 6、溫控及測量探頭：6芯真空免電磁干擾 7、測試方式：軟件控制，連續(xù)變溫，逐點控溫。 8、電壓信號：16位A/D轉(zhuǎn)換 9、溫度精度：0.01。C 10、極限真空度：5*10-2 11、校準樣品：自動校準
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