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更新時(shí)間:2025-12-14 08:36:13瀏覽次數(shù):93次
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GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜
| GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜,塊體功能) GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜,塊體功能) 關(guān)鍵詞:四探針,電阻,方阻 GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能,該系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子層的方塊電阻及測(cè)量其他方塊電阻。 二、符合: 1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、 2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?/span> 3、符合美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn) 二、產(chǎn)品應(yīng)用: 1、測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻; 2、可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻 3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)電阻率/方阻 4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻 5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量 6、可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻 三、主要技術(shù)參數(shù) 溫度范圍:RT-1000℃ 數(shù)據(jù)傳輸:USB 工作濕度:+40 ℃ 時(shí),相對(duì)濕度高達(dá) 95%(無(wú)冷凝)
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