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產(chǎn)品型號F3A
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更新時(shí)間:2025-09-08 12:57:21瀏覽次數(shù):422次
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SENIS模擬高斯計(jì)F3A系列產(chǎn)品介紹
F3A模擬高斯計(jì)*集成3軸霍爾探頭。
霍爾探頭包含一個(gè)CMOS集成電路,它包含三組相互正交的霍爾元件,偏置電路,放大器,
和溫度傳感器。集成的霍爾元件只有非常小的面積(150μm×150μm),探頭具有非常高的空間分辨率。 CMOS IC技術(shù)可以在垂直和水平霍爾元件的制造中實(shí)現(xiàn)非常高的精度,從而提供探頭的三個(gè)測量軸的高角度精度(正交誤差<0.1°)。旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)在霍爾元件偏置中的應(yīng)用抑制了平面霍爾效應(yīng)。片上信號預(yù)處理可實(shí)現(xiàn)探頭的*頻率帶寬(DC至25 kHz);并且片上信號放大提供霍爾探頭的高輸出信號,這使得傳感器免受電磁干擾。
霍爾探頭與電子盒連接(圖1中的模塊E)。模塊E為霍爾探頭提供偏置,并對其進(jìn)行額外調(diào)節(jié)霍爾探頭輸出信號:放大,線性化,抵消偏移,溫度變化補(bǔ)償和頻率帶寬限制。
F3A磁傳感器的輸出可在模塊E的連接器CoS處獲得:這些是與磁通量的每個(gè)測量組件成比例的高電平差分電壓密度;以及與探頭溫度成比例的接地參考電壓。
產(chǎn)品特性
1. *集成的CMOS 3軸(Bx,By,Bz)霍爾探頭,可以使用其中的一個(gè),兩個(gè)或三個(gè)通道
2. 非常高的空間分辨率(By:0.03 x 0.005 x 0.03mm 3; Bx和Bz:0.15 x 0.01 x 0.15 mm 3)
3. 高角度精度(正交誤差小于0.1°)
4. 幾乎沒有平面霍爾效應(yīng)?
5. 高帶寬(從DC到25kHz)
6. 高抗干擾性
7. 探頭上的感應(yīng)回路可忽略不計(jì)
8. 探頭上的集成溫度傳感器用于溫度補(bǔ)償
典型應(yīng)用
1. 永磁鐵的性能與質(zhì)量控制
2. 磁鐵系統(tǒng)的研發(fā)
3. 磁場映射
4. 磁鐵的質(zhì)量控制和監(jiān)控 (發(fā)電機(jī),電動(dòng)機(jī)等)
5. 在實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線中應(yīng)用

圖1. 采用SENIS磁場 - 電壓傳感器的典型測量裝置,帶有*集成的霍爾探頭(模塊H)和電子(模塊E)

圖2. 帶有*集成霍爾探頭的3軸磁場傳感器
模塊H參數(shù)
霍爾探頭具有多種不同的幾何形狀/尺寸,可滿足廣泛的應(yīng)用需求。

磁場與電子參數(shù)
除非另有說明,否則所有用于三個(gè)B測量通道Bx,By和Bz的參數(shù),適用于室溫(23°C)和設(shè)備預(yù)熱15分鐘后。

模塊E:機(jī)械與電子參數(shù)

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