HTRS-1000型高溫半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試，該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開發(fā)，可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率，可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試，可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅（si）、鍺（ge）,化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb），三元化合物半導(dǎo)

詳細(xì)介紹

HTRS-1000型高溫半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀的詳細(xì)資料：

HTRS-1000型高溫半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀

HTRS-1000型高溫半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試，該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開發(fā)，可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率，可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試，可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅（si）、鍺（ge）,化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb），三元化合物半導(dǎo)體GaAsAl、GaAsP，固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測(cè)量等材料的電阻率測(cè)量。

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

1、設(shè)備集成度高，一體化設(shè)計(jì)，精密測(cè)量。

2、1000度的高溫爐膛，耐高溫、抗氧化的測(cè)試夾具，測(cè)量精準(zhǔn)無誤

3、鉑銥合金材料測(cè)試探頭，抗氧化，經(jīng)久耐用。

4、控溫精度達(dá)到±0.5℃，溫度、時(shí)間曲線直觀

5、常溫、高溫、真空、流動(dòng)氣氛等多種試驗(yàn)環(huán)境

6、各種樣品均可測(cè)試：?jiǎn)螛悠穳K體測(cè)量夾具，針對(duì)圓片、方塊、長條等樣品

7、自動(dòng)保壓，防止擊穿

二、主要技術(shù)參數(shù)：
溫度范圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測(cè)量范圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測(cè)量范圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測(cè)量環(huán)境：惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測(cè)量方法：四線電阻法，探針法
測(cè)試通道：?jiǎn)瓮ǖ阑蚴请p通道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：鉑銥合金電極（耐高溫，抗氧化）
絕緣材料：99氧化鋁陶瓷
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式：自動(dòng)分析數(shù)據(jù)，可以分類保存，樣品和測(cè)量方案結(jié)合在一起，生成系統(tǒng)所需的實(shí)驗(yàn)方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數(shù)據(jù)傳輸：USB
符合標(biāo)準(zhǔn)：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；

工作濕度：+40 ℃ 時(shí)，相對(duì)濕度高達(dá) 95%（無冷凝）
設(shè)備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg

關(guān)鍵詞：合金材料絕緣材料標(biāo)準(zhǔn)

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