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產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	加工定制	是

高壓氧化鋅避雷器芯片

MYG-14D/14K;MYG芯片

壓敏電阻是一種無(wú)極性過(guò)電壓保護(hù)元件。無(wú)論是交流電路還是直流電路，只需將壓敏電阻器與被保護(hù)電器設(shè)備或元件并聯(lián)即可達(dá)到保護(hù)設(shè)備的目的，壓敏電阻器對(duì)電器的保護(hù)分為兩種情況，當(dāng)過(guò)電壓幅值高于壓敏電壓，過(guò)電流幅值小于壓敏電阻器的zui大峰值電流時(shí)（若無(wú)壓敏電阻器足以使設(shè)備元器件破壞）壓敏電阻處于擊穿區(qū)，可將過(guò)電壓瞬時(shí)限制在很低的幅值上，此時(shí)通過(guò)壓敏電阻器的浪涌電流幅值不是很大（<100A/CM2）不足以對(duì)壓敏電阻器產(chǎn)生劣化；當(dāng)過(guò)電壓幅值很高時(shí)，壓敏電阻器將過(guò)電壓限制在較低的水平上，（小于設(shè)備的耐壓）同時(shí)通過(guò)壓敏電阻器的沖擊電流很大，使壓敏電阻劣化，這時(shí)通過(guò)斷器的電流較大，熔斷器斷開(kāi)，這樣即使電器設(shè)備，元器件免受過(guò)電壓沖擊，也可避免由于壓敏電阻器的劣化擊穿造成線(xiàn)路之間短路。

氧化鋅電阻片參數(shù)，試驗(yàn)方式，及有關(guān)數(shù)據(jù)

幾何尺寸D±1 (mm)H±0.5		35×3.5	35×6	35×24.5	38×24.5	42×24.5	52×24.5	56×24.5
U1mA≤殘壓(KV)		0.7±0.1	1.35±0.15	5.4±0.3 5.0±0.3	5.2±0.3	5.2±0.3	5.1±0.3	5.1±0.3 4.4±0.3
漏流≤(uA)		10	10	10	10	15	15	20
U5KA≤殘壓(KV)				9.3±0.6	8.9±0.5	8.8±0.5	8.4±0.5	8.3±0.5
U10KA≤殘壓(KV)							8.9±0.6	8.9±0.6
方波容量(A)		75	75	150	200	200	400	500
大電流(KA)		25	25	55(65)	60(65)	65(80)	100	100
電位梯度V/mm		220±10	220±10	220±10	210±10	210±10	210±10	220（185）±10
壓比 8/20uA (KA)	1.5	1.75	1.75	1.5	1.49	1.48	1.47	1.46
	2.5			1.58	1.56	1.55	1.53	1.52
	3			1.6	1.58	1.56	1.55	1.54
	5	1.85(1.82)	1.85(1.82)	1.75(1.72)	1.72(1.70)	1.70(1.68)	1.65(1.62)	1.62
	10			1.82	1.8	1.78	1.73	1.75(1.72)
電壓等級(jí)(KV)		0.22	0.38	10	10	10	35	66
配組片數(shù)(片)		1	1	5	5	5	15	26
包裝(件)		1782	1080	54		24	60	60
使用場(chǎng)所		低壓	低壓	配電電站	電站	電動(dòng)機(jī)，電站	發(fā)電機(jī)	電站
使用場(chǎng)所		電容補(bǔ)償，電氣化鐵道，電機(jī)中性點(diǎn)，變壓氣中性點(diǎn)
容量試驗(yàn)		1，每批抽取U1mAzui高值，試品2ms方波耐壓試驗(yàn)18次后無(wú)擊穿，無(wú)閃絡(luò)，U5KA變化率≤5% 2，8/20us雷電沖擊耐受試驗(yàn)18次，U1mA變化率≤10%
老化試驗(yàn)		加速老化試驗(yàn)，時(shí)間1000小時(shí)，溫度115℃，老化系數(shù)≤1.1（荷電率85%）D7系數(shù)≤1.2，荷電率為90%
例行試驗(yàn)		1，方波篩選；2，高點(diǎn)殘壓；3，低點(diǎn)殘壓；4，泄漏電流。