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上海約瑟起重電器廠
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MYG-07D/07K;MYG芯片-可編程自動化控制器

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地上海市

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更新時間:2017-12-26 14:33:53瀏覽次數(shù):243次

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產(chǎn)地 國產(chǎn) 加工定制 是
MYG-07D/07K;MYG芯片
晶閘管保護(hù)器是我公司在多年從事高能氧化鋅壓敏電阻生產(chǎn)的基礎(chǔ)上,專為大功率器件(晶閘管)設(shè)計的保護(hù)裝置。

高壓氧化鋅避雷器芯片

MYG-07D/07K;MYG芯片

壓敏電阻是一種無極性過電壓保護(hù)元件。無論是交流電路還是直流電路,只需將壓敏電阻器與被保護(hù)電器設(shè)備或元件并聯(lián)即可達(dá)到保護(hù)設(shè)備的目的,壓敏電阻器對電器的保護(hù)分為兩種情況,當(dāng)過電壓幅值高于壓敏電壓,過電流幅值小于壓敏電阻器的zui大峰值電流時(若無壓敏電阻器足以使設(shè)備元器件破壞)壓敏電阻處于擊穿區(qū),可將過電壓瞬時限制在很低的幅值上,此時通過壓敏電阻器的浪涌電流幅值不是很大(<100A/CM2)不足以對壓敏電阻器產(chǎn)生劣化;當(dāng)過電壓幅值很高時,壓敏電阻器將過電壓限制在較低的水平上,(小于設(shè)備的耐壓)同時通過壓敏電阻器的沖擊電流很大,使壓敏電阻劣化,這時通過斷器的電流較大,熔斷器斷開,這樣即使電器設(shè)備,元器件免受過電壓沖擊,也可避免由于壓敏電阻器的劣化擊穿造成線路之間短路。

氧化鋅電阻片參數(shù),試驗(yàn)方式,及有關(guān)數(shù)據(jù)

幾何尺寸D±1
(mm)H±0.5

35×3.5

35×6

35×24.5

38×24.5

42×24.5

52×24.5

56×24.5

U1mA≤殘壓(KV)

0.7±0.1

1.35±0.15

5.4±0.3
5.0±0.3

5.2±0.3

5.2±0.3

5.1±0.3

5.1±0.3
4.4±0.3

漏流≤(uA)

10

10

10

10

15

15

20

U5KA≤殘壓(KV)

 

 

9.3±0.6

8.9±0.5

8.8±0.5

8.4±0.5

8.3±0.5

U10KA≤殘壓(KV)

 

 

 

 

 

8.9±0.6

8.9±0.6

方波容量(A) 

75

75

150

200

200

400

500

大電流(KA)

25

25

55(65)

60(65)

65(80)

100

100

電位梯度V/mm

220±10

220±10

220±10

210±10

210±10

210±10

220(185)±10

壓比 8/20uA
(KA)

1.5

1.75

1.75

1.5

1.49

1.48

1.47

1.46

2.5

 

 

1.58

1.56

1.55

1.53

1.52

3

 

 

1.6

1.58

1.56

1.55

1.54

5

1.85(1.82)

1.85(1.82)

1.75(1.72)

1.72(1.70)

1.70(1.68)

1.65(1.62)

1.62

10

 

 

1.82

1.8

1.78

1.73

1.75(1.72)

電壓等級(KV)

0.22

0.38

10

10

10

35

66

配組片數(shù)(片)

1

1

5

5

5

15

26

包裝(件)

1782

1080

54

 

24

60

60

使用場所

低壓

低壓

配電電站

電站

電動機(jī),電站

發(fā)電機(jī)

電站

電容補(bǔ)償,電氣化鐵道,電機(jī)中性點(diǎn),變壓氣中性點(diǎn)

容量試驗(yàn)

1,每批抽取U1mAzui高值,試品2ms方波耐壓試驗(yàn)18次后無擊穿,無閃絡(luò),U5KA變化率≤5% 
2,8/20us雷電沖擊耐受試驗(yàn)18次,U1mA變化率≤10%

老化試驗(yàn)

加速老化試驗(yàn),時間1000小時,溫度115℃,老化系數(shù)≤1.1(荷電率85%)D7系數(shù)≤1.2,荷電率為90%

例行試驗(yàn)

1,方波篩選;2,高點(diǎn)殘壓 ;3,低點(diǎn)殘壓 ;4,泄漏電流。


MYG芯片

MYG-05D/05K芯片 MYG-07D/07K芯片 MYG-10D/10K芯片 

MYG-14D/14K芯片MYG-120D/20K芯片

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