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局部放電的微觀理論及特點

閱讀:24發(fā)布時間:2025-5-7

局部放電
局部放電

1. 局部放電理論的微觀解釋

一般認為,局部放電是一種未發(fā)生擊穿的放電現(xiàn)象,具體來講,是指絕緣系統(tǒng)在電場作用下只有部分區(qū)域發(fā)生放電但沒有穿透施加電壓的導體之間的放電現(xiàn)象。

局部放電不會造成絕緣系統(tǒng)的貫穿性擊穿,但是會局部破壞電介質(zhì)材料尤其是有機材料。長期發(fā)生的局部放電會降低絕緣材料的電氣強度。所以局部放電對絕緣系統(tǒng)的破壞是一個又量變到質(zhì)變的過程,對高壓電氣設備的正常運行構成隱患。一般根據(jù)設備不同條件的下的局放特性可以評估其絕緣水平。

目前對于局部放電的描述有兩大微觀理論:湯遜理論和流注理論。

1)湯遜理論:自由電子在電廠加速運動過程中與中性氣體分子碰撞,當能量達到一定高度時,氣體電離產(chǎn)生電子,這樣就有了新的自由電子和離子,這些電子繼續(xù)運動,再繼續(xù)碰撞產(chǎn)生新的電離和離子。如此循環(huán),自由電子的數(shù)目成α倍增長,于是形成了電子崩,當滿足自持放電條件時,就會發(fā)生局部放電。湯遜理論適用于pd(p為氣體壓強,d為放電間隙)值較小的情況下。

2)流注理論:該理論是在湯遜理論的基礎上發(fā)生的,適用于pd值較大的情況下。它著重強調(diào)氣體空間的光電離現(xiàn)象。電子崩發(fā)生時,電崩頭與崩尾的離子濃度達到一定程度就會發(fā)出光子,光子再激發(fā)中性分子放電進而產(chǎn)生二次電子崩。兩次雪崩疊加后使電子崩中部的等離子區(qū)迅速擴大,當擴大到貫穿電子崩兩極時就發(fā)生了氣體放電。氣體放電沿著一條狹窄的等離子通道產(chǎn)生,從而形成流注放電,流注放電一旦形成,放電就轉入自持,局部放電就產(chǎn)生了。


2. 局部放電的特點

一般來說,局部放電具有以下幾個特點:

(1)破壞性。
局部放電會引起高壓電氣設備局部過熱,加快設備的老化,縮短其使用壽命;放電嚴重時,直接損壞電氣設備。

(2)隨機性。
局部放電趨勢是局部放電隨著時間變化的過程,這是個曲折、隨機的過程,某個階段可能上升,另一個階段下降,并且,其上升或者下降沒有固定的時間規(guī)律,具有隨機性。

(3)伴隨性。
通常情況下,高壓電氣設備產(chǎn)生局部放電時,會伴隨光、電、聲、熱等現(xiàn)象,會產(chǎn)生光、電流脈沖、超聲波、超高頻電磁波,還會發(fā)生化學反應,產(chǎn)生一些新的生成物。


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